http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID172746
Program / erase characteristics of ultra-scaled Si Nanocrystal FINFLASH memories (Contributo in atti di convegno)
- Type
- Label
- Program / erase characteristics of ultra-scaled Si Nanocrystal FINFLASH memories (Contributo in atti di convegno) (literal)
- Anno
- 2007-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
- Alternative label
Lombardo S, Gerardi C, Corso D, Cina G, Tripiciano E, Ancarani V, Bongiorno C, Rimini E, Melanotte M (2007)
Program / erase characteristics of ultra-scaled Si Nanocrystal FINFLASH memories
in International Conference on Memory Technology and Design, Peninsula of Giens (France)
(literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
- Lombardo S, Gerardi C, Corso D, Cina G, Tripiciano E, Ancarani V, Bongiorno C, Rimini E, Melanotte M (literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni
- CNR-IMM Catania; STMicroelectronics Catania (literal)
- Titolo
- Program / erase characteristics of ultra-scaled Si Nanocrystal FINFLASH memories (literal)
- Abstract
- Si nanocrystal FINFLASH memory cells were realized on SOI substrates. Ultra-scaled devices down to 20 nm fin width exhibit excellent program / erase characteristics at low voltage. The main results are shown and discussed. (literal)
- Prodotto di
- Autore CNR
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