Excimer laser annealing of B and BF2 implanted Si (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Excimer laser annealing of B and BF2 implanted Si (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2005-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1016/j.mseb.2005.08.059 (literal)

Alternative label

• Monakhov E.V., Svensson B.G., Linnarsson M.K., La Magna A., Italia M., Privitera V., Fortunato G., Cuscuna M., Mariucci L. (2005)
  Excimer laser annealing of B and BF2 implanted Si
  in Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Monakhov E.V., Svensson B.G., Linnarsson M.K., La Magna A., Italia M., Privitera V., Fortunato G., Cuscuna M., Mariucci L. (literal)

Pagina inizio

• 232 (literal)

Pagina fine

• 234 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 124 (literal)

Rivista

• Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• Univ Oslo, Dept Phys, Ctr Mat Sci & Nanotechnol, N-0316 Oslo, Norway; Royal Inst Technol, Lab Mat & Semicond Phys, SE-16440 Kista, Sweden; CNR, IMM, I-95121 Catania, Italy; CNR, IFN, I-00156 Rome, Italy (literal)

Titolo

• Excimer laser annealing of B and BF2 implanted Si (literal)

Abstract

• We have performed a comparative study of B re-distribution and electrical activation after excimer laser annealing (ELA) of B and BF2 implanted Si. Chemical B concentration and electrical activation profiles were measured by secondary ion mass spectrometry (SIMS) and spreading resistance profiling (SRP), respectively. SIMS data demonstrate that the presence of F does not influence significantly the re-distribution of B during ELA. A dramatic contrast, however, can be observed in the electrical activation of the dopant in the B and BF2 implanted samples. While almost 100% electrical activation of B occurs in the B implanted samples, only 20-50% of the dopant can be activated by ELA in the BF2 implanted sample. Possible mechanisms causing the deactivation of B in the BF2 implanted samples after ELA are discussed. (literal)

Prodotto di

• Processi laser per dispostivi a semiconduttore (MD.P05.001.003) (Modulo)
• Istituto di fotonica e nanotecnologie (IFN) (Istituto)
• Sviluppo di metodologie avanzate per dispositivi elettronici micro e nanostrutturati (MD.P05.005.001) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• VITTORIO PRIVITERA (Persona)
• ANTONINO LA MAGNA (Persona)
• LUIGI MARIUCCI (Unità di personale interno)
• MARKUS ITALIA (Persona)
• GUGLIELMO FORTUNATO (Persona)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Excimer laser annealing of B and BF2 implanted Si" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• ANTONINO LA MAGNA (Persona)
• VITTORIO PRIVITERA (Persona)
• MARKUS ITALIA (Persona)
• GUGLIELMO FORTUNATO (Persona)
• LUIGI MARIUCCI (Unità di personale interno)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Istituto di fotonica e nanotecnologie (IFN) (Istituto)
• Sviluppo di metodologie avanzate per dispositivi elettronici micro e nanostrutturati (MD.P05.005.001) (Modulo)
• Processi laser per dispostivi a semiconduttore (MD.P05.001.003) (Modulo)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Parole chiave di "Excimer laser annealing of B and BF2 implanted Si" (Insieme di parole chiave)