Conductance and valley splitting in etched Si/SiGe one-dimensional nanostructures (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Conductance and valley splitting in etched Si/SiGe one-dimensional nanostructures (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2010-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Frucci G., L. Di Gaspare, F. Evangelisti, E. Giovine, A. Notargiacomo, V. Piazza, and F. Beltram (2010)
  Conductance and valley splitting in etched Si/SiGe one-dimensional nanostructures
  
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Frucci G., L. Di Gaspare, F. Evangelisti, E. Giovine, A. Notargiacomo, V. Piazza, and F. Beltram (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 81 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• 1. Univ Roma TRE, Dipartimento Fis, I-00146 Rome, Italy 2. Ist Foton & Nanotecnol CNR, I-00156 Rome, Italy 3. NEST, Scuola Normale Super, I-56127 Pisa, Italy 4. Ist Nanosci CNR, I-56127 Pisa, Italy (literal)

Titolo

• Conductance and valley splitting in etched Si/SiGe one-dimensional nanostructures (literal)

Prodotto di

• Nanodispositivi a semiconduttore (MD.P06.001.001) (Modulo)
• Istituto di fotonica e nanotecnologie (IFN) (Istituto)
• Fenomeni coerenti in nanosistemi semiconduttori ed ibridi (MD.P06.021.002) (Modulo)

Autore CNR

• FABIO BELTRAM (Unità di personale esterno)
• ANNAMARIA GERARDINO (Persona)

Incoming links:

Prodotto

• Istituto di fotonica e nanotecnologie (IFN) (Istituto)
• Fenomeni coerenti in nanosistemi semiconduttori ed ibridi (MD.P06.021.002) (Modulo)
• Nanodispositivi a semiconduttore (MD.P06.001.001) (Modulo)

Autore CNR di

• ANNAMARIA GERARDINO (Persona)
• FABIO BELTRAM (Unità di personale esterno)