In-Plane Band Gap Engineering by Hydrogenation of Dilute Nitride Semiconductors (Contributo in atti di convegno)
- Type
- Prodotto della ricerca (Classe)
- Contributo in atti di convegno (Classe)
- Label
- In-Plane Band Gap Engineering by Hydrogenation of Dilute Nitride Semiconductors (Contributo in atti di convegno) (literal)
- Anno
- 2007-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
- Alternative label
- Felici M., Polimeni A., Masia F., Trotta R., Pettinari G., Capizzi M., Salviati G., Lazzarini L., Armani N., Piccin M., Bais G., Martelli F., Rubini S., Franciosi A., Mariucci L. (2007)(literal)
In-Plane Band Gap Engineering by Hydrogenation of Dilute Nitride Semiconductors
in 28th International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS 2006, Vienna, Austria.
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
- Felici M., Polimeni A., Masia F., Trotta R., Pettinari G., Capizzi M., Salviati G., Lazzarini L., Armani N., Piccin M., Bais G., Martelli F., Rubini S., Franciosi A., Mariucci L. (literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#altreInformazioni
- PHYSICS OF SEMICONDUCTORS: 28th International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS 2006 - AIP Conference Proceedings -- April 10, 2007 -- Volume 893, pp. 31-32 (literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#note
- AIP Conf. Proc., 893, 31 (2007) (literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni
- TASC-INFM-CNR National Lab., Trieste Italy (literal)
- Titolo
- In-Plane Band Gap Engineering by Hydrogenation of Dilute Nitride Semiconductors (literal)
- Prodotto di
- Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)
- Dispositivi per elettronica di larga area (MD.P05.001.001) (Modulo)
- Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
- Sistemi per la conversione di energia (SP.P02.002.001) (Modulo)
- Dispositivi per elettronica di larga area (MD.P05.001.004) (Modulo)
- Istituto di fotonica e nanotecnologie (IFN) (Istituto)
- Sintesi e studio delle proprieta' strutturali, ottiche ed elettroniche di sistemi aventi almeno una dimensione nanometrica (MD.P06.018.001) (Modulo)
- Autore CNR
- GIANCARLO SALVIATI (Persona)
- LUIGI MARIUCCI (Unità di personale interno)
- FAUSTINO MARTELLI (Unità di personale interno)
- ALFONSO FRANCIOSI (Persona)
- LAURA LAZZARINI (Unità di personale interno)
- NICOLA ARMANI (Unità di personale interno)
- SILVIA RUBINI (Unità di personale interno)
Incoming links:
- Prodotto
- Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
- Istituto di fotonica e nanotecnologie (IFN) (Istituto)
- Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)
- Dispositivi per elettronica di larga area (MD.P05.001.004) (Modulo)
- Dispositivi per elettronica di larga area (MD.P05.001.001) (Modulo)
- Sistemi per la conversione di energia (SP.P02.002.001) (Modulo)
- Sintesi e studio delle proprieta' strutturali, ottiche ed elettroniche di sistemi aventi almeno una dimensione nanometrica (MD.P06.018.001) (Modulo)
- Autore CNR di
- LAURA LAZZARINI (Unità di personale interno)
- GIANCARLO SALVIATI (Persona)
- FAUSTINO MARTELLI (Unità di personale interno)
- NICOLA ARMANI (Unità di personale interno)
- SILVIA RUBINI (Unità di personale interno)
- LUIGI MARIUCCI (Unità di personale interno)
- ALFONSO FRANCIOSI (Persona)