In-Plane Band Gap Engineering by Hydrogenation of Dilute Nitride Semiconductors (Contributo in atti di convegno)

Type
Label
  • In-Plane Band Gap Engineering by Hydrogenation of Dilute Nitride Semiconductors (Contributo in atti di convegno) (literal)
Anno
  • 2007-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Alternative label
  • Felici M., Polimeni A., Masia F., Trotta R., Pettinari G., Capizzi M., Salviati G., Lazzarini L., Armani N., Piccin M., Bais G., Martelli F., Rubini S., Franciosi A., Mariucci L. (2007)
    In-Plane Band Gap Engineering by Hydrogenation of Dilute Nitride Semiconductors
    in 28th International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS 2006, Vienna, Austria.
    (literal)
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  • Felici M., Polimeni A., Masia F., Trotta R., Pettinari G., Capizzi M., Salviati G., Lazzarini L., Armani N., Piccin M., Bais G., Martelli F., Rubini S., Franciosi A., Mariucci L. (literal)
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  • PHYSICS OF SEMICONDUCTORS: 28th International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS 2006 - AIP Conference Proceedings -- April 10, 2007 -- Volume 893, pp. 31-32 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#note
  • AIP Conf. Proc., 893, 31 (2007) (literal)
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  • TASC-INFM-CNR National Lab., Trieste Italy (literal)
Titolo
  • In-Plane Band Gap Engineering by Hydrogenation of Dilute Nitride Semiconductors (literal)
Prodotto di
Autore CNR

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