Deposition and characterisation of MoSi2 films (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Deposition and characterisation of MoSi2 films (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2010-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Rau J.V., Teghil R., Ferro D., Generosi A., Rossi Albertini V., Spoliti M., Barinov S.M. (2010)
  Deposition and characterisation of MoSi2 films
  in Thin solid films (Print)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Rau J.V., Teghil R., Ferro D., Generosi A., Rossi Albertini V., Spoliti M., Barinov S.M. (literal)

Pagina inizio

• 2050 (literal)

Pagina fine

• 2055 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 518 (literal)

Rivista

• Thin solid films (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#note

• http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2009.09.087 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• Istituto di Struttura della Materia, CNR, via del Fosso del Cavaliere 100-00133 Rome, Italy; Università della Basilicata, Dipartimento di Chimica, via N. Sauro 85-85100, Potenza, Italy; Istituto per lo Studio dei Materiali Nanostrutturati, CNR, Piazzale Aldo Moro 5-00185 Rome, Italy; “Sapienza” Universitá di Roma, Dipartimento di Chimica, Piazzale Aldo Moro 5-00185 Rome, Italy (literal)

Titolo

• Deposition and characterisation of MoSi2 films (literal)

Abstract

• Deposition of MoSi2 films on silicon and tantalum substrates applying pulsed laser deposition technique has been performed. Crystalline, hexagonal symmetry, MoSi2 films were prepared directly from stoichiometric MoSi2 tetragonal target on room temperature and heated substrates (500 °C). Textured MoSi2 films having privileged (110) and (115) orientations and average crystallite size of about 105 nm were grown on Si(111) substrates with a good degree of axial texture (rocking curve full width half maximum of 1.5°). MoSi2 films grown on Ta(211) substrates, instead, turned out to be polycrystalline, with an average crystallite size of about 100 nm and 50 nm on substrates kept at room temperature and at 500 °C, respectively. Vickers hardness for 1.2 ¼m thick MoSi2 films on Si(111) substrates resulted to be 15 GPa both at room temperature and 500 °C, while for 0.4 ¼m thick MoSi2 films on Ta(211) substrates — 26 GPa at room temperature and 30 GPa at 500 °C. (literal)

Prodotto di

• Fotonica a raggi X (MD.P03.006.001) (Modulo)
• Institute of structure of matter (ISM) (Istituto)
• Sintesi e crescita di film e superfici nanostrutturate (PM.P05.004.002) (Modulo)
• Istituto per lo studio dei materiali nanostrutturati (ISMN) (Istituto)

Autore CNR

• VALERIO ROSSI ALBERTINI TIRANNI (Unità di personale interno)
• DANIELA FERRO (Unità di personale interno)
• DZHULIETTA RAU (Unità di personale esterno)
• AMANDA GENEROSI (Unità di personale interno)

Incoming links:

Autore CNR di

• VALERIO ROSSI ALBERTINI TIRANNI (Unità di personale interno)
• DZHULIETTA RAU (Unità di personale esterno)
• AMANDA GENEROSI (Unità di personale interno)
• DANIELA FERRO (Unità di personale interno)

Prodotto

• Institute of structure of matter (ISM) (Istituto)
• Istituto per lo studio dei materiali nanostrutturati (ISMN) (Istituto)
• Fotonica a raggi X (MD.P03.006.001) (Modulo)
• Sintesi e crescita di film e superfici nanostrutturate (PM.P05.004.002) (Modulo)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Thin solid films (Rivista)