Scanning transmission electron microscopy determination of critical InAs QD parameters from high-quality focused ion beam lamellas (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Scanning transmission electron microscopy determination of critical InAs QD parameters from high-quality focused ion beam lamellas (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2009-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Taurino A; Catalano M; Lomascolo M; Persano A; Convertino A; Cerri L; (2009)
  Scanning transmission electron microscopy determination of critical InAs QD parameters from high-quality focused ion beam lamellas
  in Semiconductor science and technology (Print)
  (literal)

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• Taurino A; Catalano M; Lomascolo M; Persano A; Convertino A; Cerri L; (literal)

Pagina inizio

• 085001 (literal)

Pagina fine

• 085001 (literal)

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• 24 (literal)

Rivista

• Semiconductor science and technology (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

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• Italian Natl Res Council CNR IMM, Inst Microelect & Microsyst, Lecce Sect, I-73100 Lecce, Italy Italian Natl Res Council CNR ISMN, Inst Study Nanostruct Mat, Montelibretti Sect, I-00016 Rome, Italy (literal)

Titolo

• Scanning transmission electron microscopy determination of critical InAs QD parameters from high-quality focused ion beam lamellas (literal)

Abstract

• InAs quantum dots in InGaAs matrix samples were prepared by focused ion beam (FIB) for cross-sectional scanning transmission electron microscopy (STEM) analyses in order to evaluate the quality of the FIB lamella preparation in the case of critical semiconducting materials. Despite the damage induced by the Ga ion bombardment, the good quality of the lamella led to a very accurate evaluation of important dot parameters, such as shape, size, In composition profiles in the dots and embedding matrix, from a direct analysis of the STEM images. These results were compared to those reported by the current literature for similar material systems, but often derived by indirect methods. (literal)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Istituto per lo studio dei materiali nanostrutturati (ISMN) (Istituto)
• Sintesi e crescita di film e superfici nanostrutturate (PM.P05.004.002) (Modulo)
• materiali e processi per la realizzazione di dispositivi per la conversione di energia (MD.P05.019.001) (Modulo)

Autore CNR

• MASSIMO CATALANO (Persona)
• ANNA PERSANO (Unità di personale interno)
• LUCIANA CERRI (Unità di personale interno)
• ANTONIETTA TAURINO (Unità di personale interno)
• ANNALISA CONVERTINO (Unità di personale interno)
• MAURO LOMASCOLO (Persona)

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Autore CNR di

• MASSIMO CATALANO (Persona)
• MAURO LOMASCOLO (Persona)
• ANTONIETTA TAURINO (Unità di personale interno)
• ANNALISA CONVERTINO (Unità di personale interno)
• LUCIANA CERRI (Unità di personale interno)
• ANNA PERSANO (Unità di personale interno)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Istituto per lo studio dei materiali nanostrutturati (ISMN) (Istituto)
• materiali e processi per la realizzazione di dispositivi per la conversione di energia (MD.P05.019.001) (Modulo)
• Sintesi e crescita di film e superfici nanostrutturate (PM.P05.004.002) (Modulo)

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• Semiconductor science and technology (Rivista)