Aging, Memory and Oxygen Vacancies in PLZT (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Aging, Memory and Oxygen Vacancies in PLZT (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2007-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1080/00150190701367093 (literal)

Alternative label

• Cordero F. (1); Craciun F. (1); Franco A. (1); Galassi C. (2) (2007)
  Aging, Memory and Oxygen Vacancies in PLZT
  in Ferroelectrics (Print)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Cordero F. (1); Craciun F. (1); Franco A. (1); Galassi C. (2) (literal)

Pagina inizio

• 78 (literal)

Pagina fine

• 86 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#url

• http://www.tandfonline.com/doi/abs/10.1080/00150190701367093 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 353 (literal)

Rivista

• Ferroelectrics (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 1 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)
• Scopu (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• (1) CNR-ISC, Area della Ricerca di Roma-Tor Vergata, Via del Fosso del Cavaliere 100, I-00133 Roma, Italy (2) CNR-ISTEC, Via Granarolo 64, I-48018 Faenza, Italy (literal)

Titolo

• Aging, Memory and Oxygen Vacancies in PLZT (literal)

Abstract

• Aging and memory are phenomena that can be found in various disordered systems. Memory of multiple aging stages has been found in spin glasses, below the so called freezing temperature Tf and in the relaxor ferroelectric PLZT also above this temperature, but it is not sure whether memory at these temperature is intrinsic of the glassy relaxor system or is rather due to migration of mobile defects. We measured anelastic and dielectric susceptibility in two different PLZT compositions: relaxor (PLZT 9/65/35) and partially ferroelectric (PLZTN 7/60/40) with 0.02 oxygen vacancies. We introduced O vacancies, H defects and mobile charges resulting from their ionization in the relaxor and we found that in this sample, memory, in elastic compliance and dielectric susceptibility, is not enhanced but depressed by an increase of O vacancies, while in the ferroelectric, there is no memory unless aging is protracted for long times. This is considered as evidence that in the relaxor case memory is intrinsic while in the non relaxor case it is due to slow migration of defects. (literal)

Prodotto di

• Institute of science and technology for ceramics (ISTEC) (Istituto)
• Materiali Funzionali e Sistemi Disordinati (MD.P02.003.001) (Modulo)
• Processi e materiali per applicazioni elettromeccaniche (SP.P02.009.001) (Modulo)

Autore CNR

• FRANCESCO CORDERO (Unità di personale interno)
• CARMEN GALASSI (Unità di personale interno)
• ANDREA FRANCO (Persona)
• FLORIANA RUSANESCU CRACIUN (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Aging, Memory and Oxygen Vacancies in PLZT" (Insieme di parole chiave)

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Prodotto

• Institute of science and technology for ceramics (ISTEC) (Istituto)
• Processi e materiali per applicazioni elettromeccaniche (SP.P02.009.001) (Modulo)
• Materiali Funzionali e Sistemi Disordinati (MD.P02.003.001) (Modulo)

Autore CNR di

• CARMEN GALASSI (Unità di personale interno)
• FRANCESCO CORDERO (Unità di personale interno)
• FLORIANA RUSANESCU CRACIUN (Unità di personale interno)
• ANDREA FRANCO (Persona)

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• Ferroelectrics (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Aging, Memory and Oxygen Vacancies in PLZT" (Insieme di parole chiave)