Morphological and compositional effects of FIB nanopatterning of multilayer metal/semiconducting devices (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Morphological and compositional effects of FIB nanopatterning of multilayer metal/semiconducting devices (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2009-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1016/j.physe.2008.12.001 (literal)

Alternative label

• Taurino A; Catalano M; Lomascolo M; Persano A; Convertino A; Cerri L; (2009)
  Morphological and compositional effects of FIB nanopatterning of multilayer metal/semiconducting devices
  in Physica. E, Low-dimensional systems and nanostructures (Print)
  (literal)

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• Taurino A; Catalano M; Lomascolo M; Persano A; Convertino A; Cerri L; (literal)

Pagina inizio

• 734 (literal)

Pagina fine

• 738 (literal)

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• 41 (literal)

Rivista

• Physica. E, Low-dimensional systems and nanostructures (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 4 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• 1. Italian Natl Res Council CNR IMM Lecce Sect, Inst Microelect & Microsyst, I-73100 Lecce, Italy 2. Italian Natl Res Council CNR ISMN Montelibretti S, Inst Study Nanostruct Mat, I-00016 Rome, Italy (literal)

Titolo

• Morphological and compositional effects of FIB nanopatterning of multilayer metal/semiconducting devices (literal)

Abstract

• In this work, a structural and compositional investigation of the effects of focused ion beam (FIB) nanopatterning of a critical material system was carried out. A pattern of cylindrical holes, with the diameter in the range 50-150 nm, was dug by FIB into the topmost metal layer of an InAs quantum dots based heterostructure, and the effects of the ion beam treatments on the composition of the layers involved in the milling process were evaluated, FIB preparation of transmission electron microscopy (TEM) lamellas provided suitable samples for the chemical analyses exactly from the regions where the holes were dug. Detailed experimental data were obtained by means of scanning transmission electron microscopy (STEM) and energy dispersive X-ray spectroscopy (EDS), and the effects of implantation, intermixing, redeposition and, more in general, defect creation induced by the Ga ion bombardment evaluated and compared with the results of stopping and range of ions in matter (SRIM) simulations. (literal)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Istituto per lo studio dei materiali nanostrutturati (ISMN) (Istituto)
• materiali e processi per la realizzazione di dispositivi per la conversione di energia (MD.P05.019.001) (Modulo)
• Sintesi e crescita di film e superfici nanostrutturate (PM.P05.004.002) (Modulo)

Autore CNR

• ANNA PERSANO (Unità di personale interno)
• MASSIMO CATALANO (Persona)
• ANNALISA CONVERTINO (Unità di personale interno)
• MAURO LOMASCOLO (Persona)
• LUCIANA CERRI (Unità di personale interno)
• ANTONIETTA TAURINO (Unità di personale interno)

Incoming links:

Autore CNR di

• MASSIMO CATALANO (Persona)
• MAURO LOMASCOLO (Persona)
• ANTONIETTA TAURINO (Unità di personale interno)
• ANNALISA CONVERTINO (Unità di personale interno)
• LUCIANA CERRI (Unità di personale interno)
• ANNA PERSANO (Unità di personale interno)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Istituto per lo studio dei materiali nanostrutturati (ISMN) (Istituto)
• materiali e processi per la realizzazione di dispositivi per la conversione di energia (MD.P05.019.001) (Modulo)
• Sintesi e crescita di film e superfici nanostrutturate (PM.P05.004.002) (Modulo)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Physica. E, Low-dimensional systems and nanostructures (Rivista)