Development of a new photodetector based on two dimensional hole gas (Contributo in atti di convegno)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Contributo in atti di convegno (Classe)

Label

• Development of a new photodetector based on two dimensional hole gas (Contributo in atti di convegno) (literal)

Anno

• 2007-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1109/IMOC.2007.4404254 (literal)

Alternative label

• A. Cola, F. Quaranta, A. Persano, A. Taurino, M. Currie, E. Gallo, X. Zhao, J. Spanier, B. Nabet (2007)
  Development of a new photodetector based on two dimensional hole gas
  in SBMO/IEEE MTT-S International Microwave and Optoelectronics Conference, Salvador, Brazil, Oct 29-Nov 01, 2007
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• A. Cola, F. Quaranta, A. Persano, A. Taurino, M. Currie, E. Gallo, X. Zhao, J. Spanier, B. Nabet (literal)

Pagina inizio

• 372 (literal)

Pagina fine

• 375 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#titoloVolume

• Proceedings SBMO/IEEE MTT-S International Microwave and Optoelectronics Conference (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• IMM-CNR Lecce (literal)

Titolo

• Development of a new photodetector based on two dimensional hole gas (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#isbn

• 978-981-270-599-0 (literal)

Abstract

• We have previously demonstrated the improved performance in terms of high-speed properties of the heterostructure metal-semiconductor-metal (HMSM) photodetector, given by the presence of the two-dimensional electron gas (2-DEG) at the AlGaAs/GaAs heterojunction. However, the time response presents a long tail due to the holes, which would still be an impediment for high frequency operation. In order to overcome this limitation, we are developing a new photodetector based on a two-dimensional hole gas (2-DHG), in which the electric field in the GaAs absorption layer would attract the photogenerated holes. We present here the designed structure, the fabrication sequence and current and voltage characterizations carried out in the dark and under light excitation on devices with two different p-type delta doping. (literal)

Editore

• IEEE (Editore)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• materiali e processi per la realizzazione di dispositivi per la conversione di energia (MD.P05.019.001) (Modulo)

Autore CNR

• FABIO QUARANTA (Unità di personale interno)
• ANTONIETTA TAURINO (Unità di personale interno)
• Anna Persano (Persona)
• ADRIANO COLA (Unità di personale interno)

Incoming links:

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• materiali e processi per la realizzazione di dispositivi per la conversione di energia (MD.P05.019.001) (Modulo)

Autore CNR di

• ADRIANO COLA (Unità di personale interno)
• ANTONIETTA TAURINO (Unità di personale interno)
• Anna Persano (Persona)
• FABIO QUARANTA (Unità di personale interno)

Editore di

• IEEE (Editore)