Role of the strain in the epitaxial regrowth rate of heavily doped amorphous Si films (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Role of the strain in the epitaxial regrowth rate of heavily doped amorphous Si films (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2008-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1063/1.3036899 (literal)

Alternative label

• D'Angelo D, Romano L, Crupi I, Carria E, Privitera V, Grimaldi MG (2008)
  Role of the strain in the epitaxial regrowth rate of heavily doped amorphous Si films
  in Applied physics letters
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• D'Angelo D, Romano L, Crupi I, Carria E, Privitera V, Grimaldi MG (literal)

Pagina inizio

• 231901 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 93 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• \"[D'Angelo, D.; Romano, L.; Crupi, I.; Carria, E.; Grimaldi, M. G.] Univ Catania, CNR, INFM, Dipartimento Fis & Astron, I-95123 Catania, Italy; [Privitera, V.] CNR, IMM, I-95121 Catania, Italy (literal)

Titolo

• Role of the strain in the epitaxial regrowth rate of heavily doped amorphous Si films (literal)

Abstract

• Solid phase epitaxial regrowth (SPER) of p-doped preamorphized Si was studied by time resolved reflectivity. Strain and dopant concentration were opportunely varied by implanting neutral (Ge) and isovalent (B, Ga) impurities in order to disentangle the two different effects on SPER. Larger SPER rate variations occurred in strained doped Si with respect to undoped samples. The generalized Fermi level shifting model was implemented to include the role of the strain and to fit the experimental data over a large range of temperature for p- and n-type doping. We introduced a charged defect, whose energy level is independent of the dopant species. (literal)

Prodotto di

• Sviluppo di metodologie avanzate per dispositivi elettronici micro e nanostrutturati (MD.P05.005.001) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Controllo su scala atomica dei materiali per dispositivi innovativi elettronici e fotonici basati su silicio. (MD.P05.006.001) (Modulo)

Autore CNR

• VITTORIO PRIVITERA (Persona)
• DANIELE D'ANGELO (Unità di personale esterno)
• ISODIANA CRUPI (Unità di personale interno)
• MARIA GRAZIA GRIMALDI (Persona)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Role of the strain in the epitaxial regrowth rate of heavily doped amorphous Si films" (Insieme di parole chiave)

Incoming links:

Autore CNR di

• VITTORIO PRIVITERA (Persona)
• ISODIANA CRUPI (Unità di personale interno)
• DANIELE D'ANGELO (Unità di personale esterno)
• MARIA GRAZIA GRIMALDI (Persona)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Sviluppo di metodologie avanzate per dispositivi elettronici micro e nanostrutturati (MD.P05.005.001) (Modulo)
• Controllo su scala atomica dei materiali per dispositivi innovativi elettronici e fotonici basati su silicio. (MD.P05.006.001) (Modulo)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Applied physics letters (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Parole chiave di "Role of the strain in the epitaxial regrowth rate of heavily doped amorphous Si films" (Insieme di parole chiave)