Oxidation of dimers at the Si(100) surface studied by first-principles simulation of high-resolution EELS (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Oxidation of dimers at the Si(100) surface studied by first-principles simulation of high-resolution EELS (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2010-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1002/pssb.200983952 (literal)

Alternative label

• Caramella L., Hogan C., Onida G., Del Sole R. (2010)
  Oxidation of dimers at the Si(100) surface studied by first-principles simulation of high-resolution EELS
  in Physica status solidi. B, Basic research; Wiley-VCH Verlag Gmbh, Weinheim (Germania)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Caramella L., Hogan C., Onida G., Del Sole R. (literal)

Pagina inizio

• 1946 (literal)

Pagina fine

• 1950 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 247 (literal)

Rivista

• Physica status solidi. B, Basic research (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#note

• http://dx.doi.org/10.1002/pssb.200983952 In: Physica Status Solidi B-Basic Research, vol. 247 (8) pp. 1946 - 1950. Wiley, 2010. (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• Dipartimento di Fisica dell'Universita' degli Studi di Milano and European Theoretical Spectroscopy Facility (ETSF), Via Celoria 16, 20133 Milano, Italy Dipartimento di Fisica, ETSF and CNR-INFM-SMC, Università di Roma “Tor Vergata”, Via della Ricerca Scientifica 1, 00133 Roma, Italy Dipartimento di Fisica dell'Universita' degli Studi di Milano and European Theoretical Spectroscopy Facility (ETSF), Via Celoria 16, 20133 Milano, Italy, Dipartimento di Fisica, ETSF and CNR-INFM-SMC, Universita` di Roma ''Tor Vergata'', Via della Ricerca Scientifica 1, Roma (literal)

Titolo

• Oxidation of dimers at the Si(100) surface studied by first-principles simulation of high-resolution EELS (literal)

Abstract

• Electron energy loss spectra of the Si(100) and Si(100):O surfaces are investigated using ab initio methods based on density functional theory. Computed spectra for the clean surface are found to be in good agreement with published experimental data, providing further confirmation that reconstructions of higher order than (2 × 1) are present on Si(100). The origins of the main spectral structures are analyzed and their relation to the surface bandstructure is illustrated. Oxygen adsorption on the surface dimers is found to cause strong modifications to the calculated spectra, thereby partially explaining the results of surface differential reflectivity experiments. (literal)

Editore

• Wiley-VCH Verlag Gmbh (Editore)

Prodotto di

• Microscopia a Scansione a Sonda Locale su sistemi nanostrutturati e materiali biologici (MD.P06.006.001) (Modulo)
• Institute of structure of matter (ISM) (Istituto)
• La complessità nella fisica dello stato solido (MD.P02.011.001) (Modulo)

Autore CNR

• CONOR DAVID HOGAN (Persona)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Oxidation of dimers at the Si(100) surface studied by first-principles simulation of high-resolution EELS" (Insieme di parole chiave)

Incoming links:

Prodotto

• Institute of structure of matter (ISM) (Istituto)
• Microscopia a Scansione a Sonda Locale su sistemi nanostrutturati e materiali biologici (MD.P06.006.001) (Modulo)
• La complessità nella fisica dello stato solido (MD.P02.011.001) (Modulo)

Autore CNR di

• CONOR DAVID HOGAN (Persona)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Physica status solidi. B, Basic research (Rivista)

Editore di

• Wiley-VCH Verlag Gmbh (Editore)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Oxidation of dimers at the Si(100) surface studied by first-principles simulation of high-resolution EELS" (Insieme di parole chiave)