Role of the Si excess on the excitation of Er doped SiOx (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Role of the Si excess on the excitation of Er doped SiOx (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2007-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1063/1.2734505 (literal)

Alternative label

• Franzo G; Pecora E; Priolo F; Iacona F (2007)
  Role of the Si excess on the excitation of Er doped SiOx
  in Applied physics letters
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Franzo G; Pecora E; Priolo F; Iacona F (literal)

Pagina inizio

• 183102 (literal)

Pagina fine

• 183102 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 90 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 3 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 18 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• INFM-CNR MATIS, Catania, Italy; Università di Catania, Dipartimento di Fisica & Astronomia, Catania, Italy; CNR-IMM, Sez Catania, Catania, Italy; Scuola Superiore di Catania, Catania, Italy (literal)

Titolo

• Role of the Si excess on the excitation of Er doped SiOx (literal)

Abstract

• The authors have investigated the role of the Si excess on the photoluminescence properties of Er doped substoichiometric SiOx layers. They demonstrate that the Si excess has two competing roles: when agglomerated to form Si nanoclusters (Si-nc's) it enhances the Er excitation efficiency but it also introduces new nonradiative decay channels. When Er is excited through an energy transfer from Si-nc's, the beneficial effect on the enhanced excitation efficiency prevails and the Er emission increases with increasing Si content. However, when pumped resonantly, the Er luminescence intensity always decreases with increasing Si content. These data are presented and their implications are discussed. (literal)

Prodotto di

• Controllo su scala atomica dei materiali per dispositivi innovativi elettronici e fotonici basati su silicio. (MD.P05.006.001) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Sviluppo di metodologie avanzate per dispositivi elettronici micro e nanostrutturati (MD.P05.005.001) (Modulo)

Autore CNR

• FRANCESCO PRIOLO (Persona)
• GIORGIA FRANZO' (Unità di personale interno)
• FABIO SANTO IACONA (Persona)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Role of the Si excess on the excitation of Er doped SiOx" (Insieme di parole chiave)

Incoming links:

Autore CNR di

• GIORGIA FRANZO' (Unità di personale interno)
• FRANCESCO PRIOLO (Persona)
• FABIO SANTO IACONA (Persona)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Sviluppo di metodologie avanzate per dispositivi elettronici micro e nanostrutturati (MD.P05.005.001) (Modulo)
• Controllo su scala atomica dei materiali per dispositivi innovativi elettronici e fotonici basati su silicio. (MD.P05.006.001) (Modulo)

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• Applied physics letters (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Role of the Si excess on the excitation of Er doped SiOx" (Insieme di parole chiave)