Depth distribution of B implanted in Si after excimer laser irradiation (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Depth distribution of B implanted in Si after excimer laser irradiation (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2005-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1063/1.1856696 (literal)

Alternative label

• Mannino G., Privitera V., La Magna A., Rimini E., Napolitani E., Fortunato G., Mariucci L. (2005)
  Depth distribution of B implanted in Si after excimer laser irradiation
  in Applied physics letters; AIP, American institute of physics, Melville, NY (Stati Uniti d'America)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Mannino G., Privitera V., La Magna A., Rimini E., Napolitani E., Fortunato G., Mariucci L. (literal)

Pagina inizio

• 051909 (literal)

Pagina fine

• 051909 (literal)

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• http://apl.aip.org/resource/1/applab/v86/i5/p051909_s1?isAuthorized=no (literal)

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• 86 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

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• 3 (literal)

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• 5 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• 1. CNR, IMM, Sezione Catania, I-95121 Catania, Italy 2. Univ Padua, INFM, I-35131 Padua, Italy 3. Univ Padua, Dipartimento Fis, I-35131 Padua, Italy 4. CNR, IFN, I-00156 Rome, Italy (literal)

Titolo

• Depth distribution of B implanted in Si after excimer laser irradiation (literal)

Abstract

• Liquid phase epitaxial regrowth following laser melting significantly modifies the concentration of point defects in Si, such that peculiar depth distribution of subsequently implanted B arises. At room temperature, a large fraction of B atoms, similar to15%, implanted in laser preirradiated Si, migrate up to the original melt depth. During high temperature annealing, the nonequilibrium diffusion of B is reduced to similar to25% of that measured in unirradiated Si. Both these phenomena are conclusively attributed to an excess of vacancies, induced in the lattice during solidification and to their interaction with impurities and dopant. (literal)

Editore

• AIP, American institute of physics (Editore)

Prodotto di

• Istituto di fotonica e nanotecnologie (IFN) (Istituto)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Sviluppo di metodologie avanzate per dispositivi elettronici micro e nanostrutturati (MD.P05.005.001) (Modulo)

Autore CNR

• GUGLIELMO FORTUNATO (Persona)
• GIOVANNI MANNINO (Persona)
• LUIGI MARIUCCI (Unità di personale interno)
• VITTORIO PRIVITERA (Persona)
• ANTONINO LA MAGNA (Persona)

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Autore CNR di

• ANTONINO LA MAGNA (Persona)
• VITTORIO PRIVITERA (Persona)
• GIOVANNI MANNINO (Persona)
• GUGLIELMO FORTUNATO (Persona)
• LUIGI MARIUCCI (Unità di personale interno)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Istituto di fotonica e nanotecnologie (IFN) (Istituto)
• Sviluppo di metodologie avanzate per dispositivi elettronici micro e nanostrutturati (MD.P05.005.001) (Modulo)

Editore di

• AIP, American institute of physics (Editore)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Applied physics letters (Rivista)