Microcrystalline silicon thin films grown at high deposition rate by PECVD (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Microcrystalline silicon thin films grown at high deposition rate by PECVD (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2006-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• G. Ambrosone, U. Coscia, S. Lettieri, P. Maddalena, M. Ambrico, G. Perna, C. Minarini (2006)
  Microcrystalline silicon thin films grown at high deposition rate by PECVD
  in Thin solid films (Print)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• G. Ambrosone, U. Coscia, S. Lettieri, P. Maddalena, M. Ambrico, G. Perna, C. Minarini (literal)

Pagina inizio

• 280 (literal)

Pagina fine

• 284 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 511/2 (literal)

Rivista

• Thin solid films (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• Univ Naples Federico II, CNR, INFM Coherentia, Complesso Univ Monte S Angelo, I-80126 Naples, Italy; Univ Naples Federico II, Complesso Univ Monte S Angelo, Dipartimento Sci Fisiche, I-80126 Naples, Italy; CNR, IMIP, Sez Bari, I-70126 Bari, Italy; Univ Foggia, Dipartimento Sci Biomed, I-71100 Foggia, Italy; Ist Nazl Fis Mat, Sez Bari, I-70126 Bari, Italy; ENEA, Res Ctr, I-80055 Portici, NA, Italy (literal)

Titolo

• Microcrystalline silicon thin films grown at high deposition rate by PECVD (literal)

Abstract

• Hydrogenated microcrystalline silicon films have been deposited by RF-PECVD varying the RF power from 20 to 200 W, using a silane concentration of 3% and a total flow rate of 206 sccm. The film properties do not change appreciably in a wide range of PF power: dark conductivity, hydrogen content and grain dimension are approximately constant, 10(-4) S/cm, 2 at.%, 10 nm, respectively. A deposition rate of 0.5 mn/s has been reached at the RF power of 150 W Films deposited at high deposition rate show, in the near infrared region, a clear enhancement of optical absorption due to the light scattering and low defect absorption. (c) 2005 Elsevier B.V. All rights reserved. (literal)

Prodotto di

• Plasmi per la Scienza dei Materiali (MD.P03.025.001) (Modulo)
• Istituto di Nanotecnologia (NANOTEC) (Istituto)
• Fisica dei materiali nanostrutturati per sensori di gas (MD.P05.016.001) (Modulo)

Autore CNR

• STEFANO LETTIERI (Persona)
• MARIANNA AMBRICO (Persona)
• Giuseppina Ambrosone (Persona)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Microcrystalline silicon thin films grown at high deposition rate by PECVD" (Insieme di parole chiave)

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Prodotto

• Istituto di Nanotecnologia (NANOTEC) (Istituto)
• Plasmi per la Scienza dei Materiali (MD.P03.025.001) (Modulo)
• Fisica dei materiali nanostrutturati per sensori di gas (MD.P05.016.001) (Modulo)

Autore CNR di

• STEFANO LETTIERI (Persona)
• MARIANNA AMBRICO (Persona)
• Giuseppina Ambrosone (Persona)

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• Thin solid films (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Parole chiave di "Microcrystalline silicon thin films grown at high deposition rate by PECVD" (Insieme di parole chiave)