High capacitance density by CaCu3Ti4O12 thin films (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• High capacitance density by CaCu3Ti4O12 thin films (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2010-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

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• 10.1063/1.3488893? (literal)

Alternative label

• Fiorenza P (1); Lo Nigro R (1); Raineri V (1); Malandrino G (2); Toro RG (2); Catalano MR (2) (2010)
  High capacitance density by CaCu3Ti4O12 thin films
  in Journal of applied physics
  (literal)

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• Fiorenza P (1); Lo Nigro R (1); Raineri V (1); Malandrino G (2); Toro RG (2); Catalano MR (2) (literal)

Pagina inizio

• 074103 (literal)

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• 108 (literal)

Rivista

• Journal of applied physics (Rivista)

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• 5 (literal)

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• 7 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

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• 1. Istituto per la Microelettronica e Microsistemi (IMM), Consiglio Nazionale delle Ricerche, Strada VIII, 5, 95121 Catania, Italy 2. Dipartimento di Scienze Chimiche, Università di Catania and INSTM UdR Catania, Viale Andrea Doria, 6, 95125 Catania, Italy (literal)

Titolo

• High capacitance density by CaCu3Ti4O12 thin films (literal)

Abstract

• Metal-oxide-metal capacitors based on CaCu3Ti4O12 (CCTO) thin films, grown by metal-organic chemical vapor deposition and presenting a \"brick wall\" morphology, have been fabricated and characterized. In these capacitors, the coexistence of two Maxwell-Wagner related phenomena, i.e., the internal barrier layer capacitor and the electrode polarization effects, has been demonstrated and modeled. The detailed description of the involved mechanisms is discussed. High reliability and reproducibility in capacitors based on CCTO thin films can be achieved when the phenomena are controlled. A remarkable high capacitance density (about 100 nF/mm(2)) has been obtained at room temperature in optimised processing. (literal)

Prodotto di

• Materiali e Sistemi nanostrutturati per la bio-sensoristica (PM.P05.004.009) (Modulo)
• Sintesi e crescita di film e superfici nanostrutturate (PM.P05.004.002) (Modulo)
• Istituto per lo studio dei materiali nanostrutturati (ISMN) (Istituto)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Materiali multifunzionali, e innovativi per componenti integrati (MD.P05.003.002) (Modulo)

Autore CNR

• ROBERTA GRAZIA TORO (Unità di personale interno)
• RAFFAELLA LO NIGRO (Unità di personale interno)
• VITO RAINERI (Persona)
• PATRICK FIORENZA (Persona)

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Autore CNR di

• VITO RAINERI (Persona)
• RAFFAELLA LO NIGRO (Unità di personale interno)
• PATRICK FIORENZA (Persona)
• ROBERTA GRAZIA TORO (Unità di personale interno)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Istituto per lo studio dei materiali nanostrutturati (ISMN) (Istituto)
• Materiali multifunzionali, e innovativi per componenti integrati (MD.P05.003.002) (Modulo)
• Sintesi e crescita di film e superfici nanostrutturate (PM.P05.004.002) (Modulo)
• Materiali e Sistemi nanostrutturati per la bio-sensoristica (PM.P05.004.009) (Modulo)

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• Journal of applied physics (Rivista)