Effect of hydrogen incorporation temperature in in plane-engineered GaAsN/GaAsN:H heterostructures (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Effect of hydrogen incorporation temperature in in plane-engineered GaAsN/GaAsN:H heterostructures (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2008-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Trotta, R; Polimeni, A; Capizzi, M; Giubertoni, D; Bersani, M; Bisognin, G; Berti, M; Rubini, S; Martelli, F; Mariucci, L; Francardi, M; Gerardino, A (2008)
  Effect of hydrogen incorporation temperature in in plane-engineered GaAsN/GaAsN:H heterostructures
  in Applied physics letters
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Trotta, R; Polimeni, A; Capizzi, M; Giubertoni, D; Bersani, M; Bisognin, G; Berti, M; Rubini, S; Martelli, F; Mariucci, L; Francardi, M; Gerardino, A (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 92 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• \"[Trotta, R.; Polimeni, A.; Capizzi, M.] Univ Roma La Sapienza, Dipartimento Fis, CNISM, I-00185 Rome, Italy; [Giubertoni, D.; Bersani, M.] Fdn Bruno Kessler Irst, I-38050 Trento, Italy; [Bisognin, G.; Berti, M.] Univ Padua, MATIS CNR, INFM, I-35131 Padua, Italy; [Bisognin, G.; Berti, M.] Univ Padua, Dipartimento Fis, I-35131 Padua, Italy; [Rubini, S.; Martelli, F.] CNR, INFM, TASC, I-34012 Trieste, Italy; [Mariucci, L.; Francardi, M.; Gerardino, A.] CNR, IFN, I-00156 Rome, Italy (literal)

Titolo

• Effect of hydrogen incorporation temperature in in plane-engineered GaAsN/GaAsN:H heterostructures (literal)

Abstract

• The influence of temperature on deuterium (or hydrogen) diffusion in GaAsN is investigated by secondary ion mass spectrometry and photoluminescence (PL). Deuterium incorporation at 200 degrees C leads to an extremely sharp D concentration profile, which decreases by a factor of 10 within 5 nm. This has great relevance to the attainment of an in-plane band gap engineering of dilute nitrides as demonstrated by PL in ensembles of artificial GaAsN wires. (C) 2008 American Institute of Physics. (literal)

Prodotto di

• Nanodispositivi spintronici e fotonici (MD.P06.001.004) (Modulo)
• Controllo su scala atomica dei materiali per dispositivi innovativi elettronici e fotonici basati su silicio. (MD.P05.006.001) (Modulo)
• Sintesi e studio delle proprieta' strutturali, ottiche ed elettroniche di sistemi aventi almeno una dimensione nanometrica (MD.P06.018.001) (Modulo)
• Istituto di fotonica e nanotecnologie (IFN) (Istituto)

Autore CNR

• LUIGI MARIUCCI (Unità di personale interno)
• SILVIA RUBINI (Unità di personale interno)
• ANNAMARIA GERARDINO (Unità di personale interno)
• FAUSTINO MARTELLI (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Effect of hydrogen incorporation temperature in in plane-engineered GaAsN/GaAsN:H heterostructures" (Insieme di parole chiave)

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Prodotto

• Istituto di fotonica e nanotecnologie (IFN) (Istituto)
• Controllo su scala atomica dei materiali per dispositivi innovativi elettronici e fotonici basati su silicio. (MD.P05.006.001) (Modulo)
• Nanodispositivi spintronici e fotonici (MD.P06.001.004) (Modulo)
• Sintesi e studio delle proprieta' strutturali, ottiche ed elettroniche di sistemi aventi almeno una dimensione nanometrica (MD.P06.018.001) (Modulo)

Autore CNR di

• ANNAMARIA GERARDINO (Unità di personale interno)
• FAUSTINO MARTELLI (Unità di personale interno)
• SILVIA RUBINI (Unità di personale interno)
• LUIGI MARIUCCI (Unità di personale interno)

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• Applied physics letters (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Parole chiave di "Effect of hydrogen incorporation temperature in in plane-engineered GaAsN/GaAsN:H heterostructures" (Insieme di parole chiave)