Giant random telegraph signal generated by single charge trapping in submicron n-metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Giant random telegraph signal generated by single charge trapping in submicron n-metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2008-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Prati, E; Fanciulli, M; Ferrari, G; Sampietro M (2008)
  Giant random telegraph signal generated by single charge trapping in submicron n-metal-oxide-semiconductor field-effect transistors
  in Journal of applied physics
  (literal)

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• Prati, E; Fanciulli, M; Ferrari, G; Sampietro M (literal)

Pagina inizio

• 123707 (literal)

Pagina fine

• 1-3 (literal)

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• 103 (literal)

Rivista

• Journal of applied physics (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• \"[Prati, Enrico; Fanciulli, Marco] Ist Nazl Fis Mat, Lab Nazl Mat & Disposit Microelettron, I-20041 Agrate Brianza, Italy; [Ferrari, Giorgio; Sampietro, Marco] Politecn Milan, Dipartimento Elettron & Informat, I-20133 Milan, Italy (literal)

Titolo

• Giant random telegraph signal generated by single charge trapping in submicron n-metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (literal)

Abstract

• We report on the current fluctuations of random telegraph signal experimentally observed at cryogenic temperatures in ordinary submicron Si/SiO2 metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs). A giant drain current fluctuation Delta I/I up to 55% is observed at sub-Kelvin temperature in samples with a large channel width. The current variation is compatible with predictions for decanano MOSFETs at room temperature. The similarity suggests the formation of a quasi-one-dimensional conduction channel at gate voltages sufficiently close to the threshold voltage. (C) 2008 American Institute of Physics. (literal)

Prodotto di

• Istituto di fotonica e nanotecnologie (IFN) (Istituto)
• Manipolazione ottica e magnetica di gas degeneri: nuovi materaili e dispositivi (MD.P03.024.001) (Modulo)
• Dispositivi e sistemi fotonici (MD.P03.013.001) (Modulo)
• Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio (MD.P05.007.001) (Modulo)
• Qubit a base di silicio o SiGe e studio di gas elettronici bidimensionali in dispositivi nanoelettronici (MD.P06.019.001) (Modulo)

Autore CNR

• ENRICO PRATI (Persona)
• MARCO FANCIULLI (Unità di personale esterno)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Giant random telegraph signal generated by single charge trapping in submicron n-metal-oxide-semiconductor field-effect transistors" (Insieme di parole chiave)

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Prodotto

• Istituto di fotonica e nanotecnologie (IFN) (Istituto)
• Dispositivi e sistemi fotonici (MD.P03.013.001) (Modulo)
• Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio (MD.P05.007.001) (Modulo)
• Qubit a base di silicio o SiGe e studio di gas elettronici bidimensionali in dispositivi nanoelettronici (MD.P06.019.001) (Modulo)
• Manipolazione ottica e magnetica di gas degeneri: nuovi materaili e dispositivi (MD.P03.024.001) (Modulo)

Autore CNR di

• MARCO FANCIULLI (Unità di personale esterno)
• ENRICO PRATI (Persona)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Journal of applied physics (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Giant random telegraph signal generated by single charge trapping in submicron n-metal-oxide-semiconductor field-effect transistors" (Insieme di parole chiave)