High-quality, Cr-doped InGaAs/InP(001) MQWs grown by ter-butylarsine in a MOVPE apparatus (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• High-quality, Cr-doped InGaAs/InP(001) MQWs grown by ter-butylarsine in a MOVPE apparatus (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2003-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• G.Carta, A.D'Andrea, F. Fernández-Alonso, A.Franco, N. El Habra, M.Righini,G.Rossetto, D.Schiumarini, S.Selci and P.Zanella (2003)
  High-quality, Cr-doped InGaAs/InP(001) MQWs grown by ter-butylarsine in a MOVPE apparatus
  in Journal of crystal growth
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• G.Carta, A.D'Andrea, F. Fernández-Alonso, A.Franco, N. El Habra, M.Righini,G.Rossetto, D.Schiumarini, S.Selci and P.Zanella (literal)

Pagina inizio

• 149 (literal)

Pagina fine

• 152 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#altreInformazioni

• La struttura descritta presenta proprietà ottiche tali da renderla idonea ad aumentare la velocità di deviazione su dispositivi per optoelettronica. (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 248 (literal)

Rivista

• Journal of crystal growth (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#descrizioneSinteticaDelProdotto

• Messa a punto del metodo di crescita MOVPE per l'ottenimento di strutture multiple InP/InGaAs a pozzi quantici opportunamente drogate con Cr per promuovere la formazione di centri di ricombinazione. Misure di fotoluminescenza confermano l'aumento della velocità della ricombinazione delle cariche generate dalla fotoeccitazione. (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• 1,2,3,4,5,6,7,8,9,10 ICIS-CNR (literal)

Titolo

• High-quality, Cr-doped InGaAs/InP(001) MQWs grown by ter-butylarsine in a MOVPE apparatus (literal)

Abstract

• We have studied the introduction of deep levels in InGaAs/InP multi-quantum wells (MQW) grown by metalorganic vapor phase epitaxy using tert-butylarsine ((BuAsH2)-Bu-t) as arsenic precursor as well as chromium (bis-cyclopentadienyl chromium) and zinc (diethyl-zinc) as dopant elements able to promote recombination centres in the ternary alloy. We have utilized secondary-ion mass spectrometry to measure dopant concentrations and high-resolution X-ray diffraction for structural characterization. Particularly for the chromium-doped systems. frequency- and time-resolved optical spectroscopy of the MWQ ground-state transition confirms an increase of the carrier recombination rate upon an increase of defect density, while the electronic and structural properties of the sample are largely preserved. (literal)

Prodotto di

• Istituto di Nanotecnologia (NANOTEC) (Istituto)
• Dinamica dei processi atomici e molecolari (MD.P03.026.001) (Modulo)
• Istituto di chimica inorganica e delle superfici (ICIS) (Istituto)

Autore CNR

• PIERINO ZANELLA (Unità di personale interno)
• GIOVANNI CARTA (Unità di personale interno)
• DONATELLA SCHIUMARINI (Unità di personale interno)
• ANDREA D'ANDREA (Unità di personale interno)
• GILBERTO LUCIO ROSSETTO (Persona)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "High-quality, Cr-doped InGaAs/InP(001) MQWs grown by ter-butylarsine in a MOVPE apparatus" (Insieme di parole chiave)

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Prodotto

• Istituto di chimica inorganica e delle superfici (ICIS) (Istituto)
• Istituto di Nanotecnologia (NANOTEC) (Istituto)
• Dinamica dei processi atomici e molecolari (MD.P03.026.001) (Modulo)

Autore CNR di

• GILBERTO LUCIO ROSSETTO (Persona)
• ANDREA D'ANDREA (Unità di personale interno)
• GIOVANNI CARTA (Unità di personale interno)
• DONATELLA SCHIUMARINI (Unità di personale interno)
• PIERINO ZANELLA (Unità di personale interno)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Journal of crystal growth (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "High-quality, Cr-doped InGaAs/InP(001) MQWs grown by ter-butylarsine in a MOVPE apparatus" (Insieme di parole chiave)