http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID167427
High-quality InGaAs/InP interfaces by the use of tertiary-butylarsine in MOVPE multi-quantum wells (Articolo in rivista)
- Type
- Label
- High-quality InGaAs/InP interfaces by the use of tertiary-butylarsine in MOVPE multi-quantum wells (Articolo in rivista) (literal)
- Anno
- 2002-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi
- 10.1016/S0022-0248(02)01659-7 (literal)
- Alternative label
Carta G., D'Andrea A., Fernandez-Alonso F., Franco A., El Habra, Righini M., Rossetto G., Schiumarini D., Selci S., Zanella P. (2002)
High-quality InGaAs/InP interfaces by the use of tertiary-butylarsine in MOVPE multi-quantum wells
in Journal of crystal growth
(literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
- Carta G., D'Andrea A., Fernandez-Alonso F., Franco A., El Habra, Righini M., Rossetto G., Schiumarini D., Selci S., Zanella P. (literal)
- Pagina inizio
- Pagina fine
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#url
- http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022024802016597 (literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume
- Rivista
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#descrizioneSinteticaDelProdotto
- Ottimizzazione del processo MOVPE per la crescita di strutture a pozzi quantici di InP/InGaAs utilizzando come sorgente del quinto gruppo la ter-butilarsine meno tossica dell'arsina, più comunemente usata. Il confronto delle proprietà strutturali (qualità delle interfacce) e delle proprietà ottiche di due strutture analoghe ottenute utilizzando il precursore convenzionale (arsina) e il nuovo precursore (terbutilarsina)ha dimostrato che che con la ter-butilarsina si ottiene una struttura con interfaccie molto nette con uno strato di diffusione di pochi monostrtai. (literal)
- Note
- ISI Web of Science (WOS) (literal)
- Science direct - Elsevier (literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni
- CNR-Istituto di Chimica Inorganica e delle Superfici
CNR-Istituto di Metodologie Inorganiche e dei Plasmi
CNR-Istituto di Struttura della Materia
CNR- Istituto dei Sistemi Complessi (literal)
- Titolo
- High-quality InGaAs/InP interfaces by the use of tertiary-butylarsine in MOVPE multi-quantum wells (literal)
- Abstract
- Tert-butylarsine, a less toxic and dangerous compound than arsine (AsH3),
is investigated as a precursor for metalorganic vapor phase epitaxy. We
have performed a comparative study on two InGaAs/InP multi-quantum well
samples sharing a nominally identical structure and composition but grown
with these two different arsenic sources. X-ray diffraction and optical
spectroscopy (reflectivity and photoluminescence) show high material
quality for both sets of samples. In particular, the use of tert-
butylarsine promotes flatter interfaces characterized by a compositional
grading of a few monolayers. (literal)
- Prodotto di
- Autore CNR
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