High-quality InGaAs/InP interfaces by the use of tertiary-butylarsine in MOVPE multi-quantum wells (Articolo in rivista)

Type
Label
  • High-quality InGaAs/InP interfaces by the use of tertiary-butylarsine in MOVPE multi-quantum wells (Articolo in rivista) (literal)
Anno
  • 2002-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi
  • 10.1016/S0022-0248(02)01659-7 (literal)
Alternative label
  • Carta G., D'Andrea A., Fernandez-Alonso F., Franco A., El Habra, Righini M., Rossetto G., Schiumarini D., Selci S., Zanella P. (2002)
    High-quality InGaAs/InP interfaces by the use of tertiary-butylarsine in MOVPE multi-quantum wells
    in Journal of crystal growth
    (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
  • Carta G., D'Andrea A., Fernandez-Alonso F., Franco A., El Habra, Righini M., Rossetto G., Schiumarini D., Selci S., Zanella P. (literal)
Pagina inizio
  • 243 (literal)
Pagina fine
  • 248 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#url
  • http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022024802016597 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume
  • 244 (literal)
Rivista
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#descrizioneSinteticaDelProdotto
  • Ottimizzazione del processo MOVPE per la crescita di strutture a pozzi quantici di InP/InGaAs utilizzando come sorgente del quinto gruppo la ter-butilarsine meno tossica dell'arsina, più comunemente usata. Il confronto delle proprietà strutturali (qualità delle interfacce) e delle proprietà ottiche di due strutture analoghe ottenute utilizzando il precursore convenzionale (arsina) e il nuovo precursore (terbutilarsina)ha dimostrato che che con la ter-butilarsina si ottiene una struttura con interfaccie molto nette con uno strato di diffusione di pochi monostrtai. (literal)
Note
  • ISI Web of Science (WOS) (literal)
  • Science direct - Elsevier (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni
  • CNR-Istituto di Chimica Inorganica e delle Superfici CNR-Istituto di Metodologie Inorganiche e dei Plasmi CNR-Istituto di Struttura della Materia CNR- Istituto dei Sistemi Complessi (literal)
Titolo
  • High-quality InGaAs/InP interfaces by the use of tertiary-butylarsine in MOVPE multi-quantum wells (literal)
Abstract
  • Tert-butylarsine, a less toxic and dangerous compound than arsine (AsH3), is investigated as a precursor for metalorganic vapor phase epitaxy. We have performed a comparative study on two InGaAs/InP multi-quantum well samples sharing a nominally identical structure and composition but grown with these two different arsenic sources. X-ray diffraction and optical spectroscopy (reflectivity and photoluminescence) show high material quality for both sets of samples. In particular, the use of tert- butylarsine promotes flatter interfaces characterized by a compositional grading of a few monolayers. (literal)
Prodotto di
Autore CNR
Insieme di parole chiave

Incoming links:


Prodotto
Autore CNR di
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi
Insieme di parole chiave di
data.CNR.it