Electron diffraction with ten nanometer beam size for strain analysis of nanodevices (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Electron diffraction with ten nanometer beam size for strain analysis of nanodevices (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2008-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Armigliato, A; Frabboni, S; Gazzadi, GC (2008)
  Electron diffraction with ten nanometer beam size for strain analysis of nanodevices
  in Applied physics letters
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Armigliato, A; Frabboni, S; Gazzadi, GC (literal)

Pagina inizio

• 161906 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 93 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#note

• N.B. In realta'secondo il nuovo stile della rivista Appl.Phys.Letters '161906' e' il n. della pubblicazione, che consta di 3 pagine (161906-1 - 161906-3) (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• A.Armigliato: CNR-IMM Bologna, Via P.Gobetti, 101, 40129 Bologna S. Frabboni and G. C. Gazzadi: CNR-INFM-S3 and Physics Department, University of Modena and Reggio Emilia, Via Campi 213/A, 41100 Modena Appl. Phys. Lett. 93, 161906 (2008); DOI:10.1063/1.3003581 Published 21 October 2008 (literal)

Titolo

• Electron diffraction with ten nanometer beam size for strain analysis of nanodevices (literal)

Abstract

• A method to perform nanobeam diffraction (NBD) in a transmission electron microscope with high spatial resolution and low convergence angle is proposed. It is based on the use of a properly fabricated condenser aperture of 1 mu m in diameter, which allows an electron beam about 10 nm in size to be focused on the sample, with a convergence angle in the 0.1 mrad range. Examples of NBD patterns taken in an untilted < 110 > cross section of a silicon device are shown. Their quality is adequate for spot position determination and hence to obtain, in principle, quantitative strain information. (C) 2008 American Institute of Physics. [DOI: 10.1063/1.3003581] (literal)

Prodotto di

• Nanofabbricazione e fenomeni di superficie interfaccia alla nanoscala (MD.P06.013.001) (Modulo)
• Sviluppo di Modelli Fisici, Simulazioni e Tecniche di Caratterizzazione per le Nanoscienze (MD.P05.004.001) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• STEFANO FRABBONI (Unità di personale esterno)
• ALDO ARMIGLIATO (Persona)
• GIANCARLO GAZZADI (Persona)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Electron diffraction with ten nanometer beam size for strain analysis of nanodevices" (Insieme di parole chiave)

Incoming links:

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Sviluppo di Modelli Fisici, Simulazioni e Tecniche di Caratterizzazione per le Nanoscienze (MD.P05.004.001) (Modulo)
• Nanofabbricazione e fenomeni di superficie interfaccia alla nanoscala (MD.P06.013.001) (Modulo)

Autore CNR di

• GIANCARLO GAZZADI (Persona)
• ALDO ARMIGLIATO (Persona)
• STEFANO FRABBONI (Unità di personale esterno)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Applied physics letters (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Electron diffraction with ten nanometer beam size for strain analysis of nanodevices" (Insieme di parole chiave)