Effects of the deposition parameters on the growth of ultrathin and thin SiO2 films (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Effects of the deposition parameters on the growth of ultrathin and thin SiO2 films (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2007-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Quartarone, E; Mustarelli, P; Grandi, S; Marabelli, F; Bontempi, E (2007)
  Effects of the deposition parameters on the growth of ultrathin and thin SiO2 films
  
  (literal)

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• Quartarone, E; Mustarelli, P; Grandi, S; Marabelli, F; Bontempi, E (literal)

Pagina inizio

• 485 (literal)

Pagina fine

• 491 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 25 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• Univ Pavia, Dept Phys Chem, I-27100 Pavia, Italy; Univ Pavia, INSTM, I-27100 Pavia, Italy; Univ Pavia, Dept Phys A Volta, I-27100 Pavia, Italy; INFM, I-27100 Pavia, Italy; Univ Brescia, Chim Tech Lab, I-25123 Brescia, Italy; INSTM, I-25123 Brescia, Italy (literal)

Titolo

• Effects of the deposition parameters on the growth of ultrathin and thin SiO2 films (literal)

Abstract

• SiO2 ultrathin and thin films have been deposited on single-crystal Si substrates by means of nonreactive radio frequency magnetron sputtering. The temperature of the substrate and the deposition times have been varied in the range of 200-500 degrees C and 60-14 400 s, respectively. The average deposition rate has a range of 0.5-5 nm/min and tends to decrease with the increase of the substrate temperature. Two different growth regimes may be observed for ultrathin and thin films, the transition taking place in the range of 5-10 nm depending on the substrate temperature. The roughness of the film surface and the grain dimensions do increase with the substrate temperature for short deposition times (t <= 300 s), whereas their behavior is less defined for intermediate ones (300 s < t < 1800 s). Finally, for long deposition times (t > 1800 s) the roughness increases again with T, and its slope is higher, the higher the substrate temperature is. (C) 2007 American Vacuum Society. (literal)

Prodotto di

• Materiali metallici e ceramici per l'accumulo, la produzione e la distribuzione dell'energia (ET.P06.009.004) (Modulo)
• Fotonica ultrabreve dall'infrarosso al EUV: applicazioni a materiali e dispositivi per ICT, magnetismo, biomedicina e nanoscienze (MD.P03.008.001) (Modulo)
• Institute of Condensed Matter Chemistry and Energy Technologies (ICMATE) (Istituto)

Autore CNR

• FRANCO MARABELLI (Unità di personale esterno)
• ELIANA QUARTARONE (Persona)
• PIERCARLO MUSTARELLI (Unità di personale esterno)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Effects of the deposition parameters on the growth of ultrathin and thin SiO2 films" (Insieme di parole chiave)

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Prodotto

• Institute of Condensed Matter Chemistry and Energy Technologies (ICMATE) (Istituto)
• Materiali metallici e ceramici per l'accumulo, la produzione e la distribuzione dell'energia (ET.P06.009.004) (Modulo)
• Fotonica ultrabreve dall'infrarosso al EUV: applicazioni a materiali e dispositivi per ICT, magnetismo, biomedicina e nanoscienze (MD.P03.008.001) (Modulo)

Autore CNR di

• PIERCARLO MUSTARELLI (Unità di personale esterno)
• FRANCO MARABELLI (Unità di personale esterno)
• ELIANA QUARTARONE (Persona)

Insieme di parole chiave di

• Parole chiave di "Effects of the deposition parameters on the growth of ultrathin and thin SiO2 films" (Insieme di parole chiave)