Dielectric constant boost in amorphous sesquioxides (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Dielectric constant boost in amorphous sesquioxides (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2008-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Delugas, P; Fiorentini, V; Filippetti, A (2008)
  Dielectric constant boost in amorphous sesquioxides
  in Applied physics letters
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Delugas, P; Fiorentini, V; Filippetti, A (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 92 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#note

• Art. N. 172903 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• \"[Delugas, Pietro; Fiorentini, Vincenzo] NXP Semicond, B-3001 Louvain, Belgium; [Delugas, Pietro] CNR, IMM, I-95123 Cagliari, Italy; [Fiorentini, Vincenzo; Filippetti, Alessio] CNR, INFM, SLACS, I-09100 Cagliari, Italy; [Fiorentini, Vincenzo; Filippetti, Alessio] Univ Cagliari, Dipartimento Fis, I-09042 Sardinia, Italy (literal)

Titolo

• Dielectric constant boost in amorphous sesquioxides (literal)

Abstract

• High-kappa dielectrics for insulating layers are a current key ingredient of microelectronics. X2O3 sesquioxide compounds are among the candidates. Here, we show for a typical material of this class, Sc2O3, that the relatively modest dielectric constant of its crystalline phase is enhanced in the amorphous phase by over 40% (from similar to 15 to similar to 22). This is due to the disorder-induced activation of low frequency cation-related modes which are inactive or inefficient in the crystal and by the conservation of effective dynamical charges (a measure of atomic polarizability). The analysis employs density-functional energy-force and perturbation-theory calculations of the dielectric response of amorphous samples generated by pair-potential molecular dynamics. (C) 2008 American Institute of Physics. (literal)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Materiali multifunzionali, e innovativi per componenti integrati (MD.P05.003.002) (Modulo)
• Teoria e modeling computazionale di materiali e processi per le nanoscienze (MD.P06.014.001) (Modulo)

Autore CNR

• Alessio Filippetti (Unità di personale esterno)
• PIETRO DAVIDE DELUGAS (Unità di personale esterno)
• VINCENZO FIORENTINI (Persona)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Dielectric constant boost in amorphous sesquioxides" (Insieme di parole chiave)

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Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Materiali multifunzionali, e innovativi per componenti integrati (MD.P05.003.002) (Modulo)
• Teoria e modeling computazionale di materiali e processi per le nanoscienze (MD.P06.014.001) (Modulo)

Autore CNR di

• VINCENZO FIORENTINI (Persona)
• Alessio Filippetti (Unità di personale esterno)
• PIETRO DAVIDE DELUGAS (Unità di personale esterno)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Applied physics letters (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Dielectric constant boost in amorphous sesquioxides" (Insieme di parole chiave)