Nanoscale voltage tunable tunnel rectifier by gold nanostructures embedded in SiO2 (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Nanoscale voltage tunable tunnel rectifier by gold nanostructures embedded in SiO2 (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2006-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1063/1.2424433 (literal)

Alternative label

• Ruffino F; Grimaldi MG; Giannazzo F; Roccaforte F; Raineri V (2006)
  Nanoscale voltage tunable tunnel rectifier by gold nanostructures embedded in SiO2
  in Applied physics letters
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Ruffino F; Grimaldi MG; Giannazzo F; Roccaforte F; Raineri V (literal)

Pagina inizio

• 263108 (literal)

Pagina fine

• 263108 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 89 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• 1. Univ Catania, CNR, Ist Nazl Fis Nucl, MATIS, I-95123 Catania, Italy 2. CNR, IMM, I-95121 Catania, Italy (literal)

Titolo

• Nanoscale voltage tunable tunnel rectifier by gold nanostructures embedded in SiO2 (literal)

Abstract

• Conductive-atomic force microscopy is used to electrically characterize a nanometric metal-SiO2-Si (n(+)) system with Au nanocluster inclusions in SiO2. The system shows a marked rectifying behavior at room temperature with a threshold voltage function of the cluster size. This behavior is interpreted crossing physical considerations on metal-oxide-semiconductor structure and on double barrier tunnel junction device. The system fabricated and analyzed is proposed as a possible basic component for nanoelectronic circuits working at room temperature. (c) 2006 American Institute of Physics. (literal)

Prodotto di

• Controllo su scala atomica dei materiali per dispositivi innovativi elettronici e fotonici basati su silicio. (MD.P05.006.001) (Modulo)
• Nanotecnologie e tecnologie avanzate per elettronica integrata (MD.P05.003.004) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Materiali multifunzionali, e innovativi per componenti integrati (MD.P05.003.002) (Modulo)

Autore CNR

• FRANCESCO RUFFINO (Persona)
• VITO RAINERI (Persona)
• FABRIZIO ROCCAFORTE (Persona)
• MARIA GRAZIA GRIMALDI (Persona)
• Francesco Ruffino (Unità di personale esterno)
• FILIPPO GIANNAZZO (Persona)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Nanoscale voltage tunable tunnel rectifier by gold nanostructures embedded in SiO2" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• FABRIZIO ROCCAFORTE (Persona)
• VITO RAINERI (Persona)
• FILIPPO GIANNAZZO (Persona)
• Francesco Ruffino (Unità di personale esterno)
• FRANCESCO RUFFINO (Persona)
• MARIA GRAZIA GRIMALDI (Persona)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Nanotecnologie e tecnologie avanzate per elettronica integrata (MD.P05.003.004) (Modulo)
• Materiali multifunzionali, e innovativi per componenti integrati (MD.P05.003.002) (Modulo)
• Controllo su scala atomica dei materiali per dispositivi innovativi elettronici e fotonici basati su silicio. (MD.P05.006.001) (Modulo)

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• Applied physics letters (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Parole chiave di "Nanoscale voltage tunable tunnel rectifier by gold nanostructures embedded in SiO2" (Insieme di parole chiave)