Experimental determination of the local geometry around In and In-C complexes in Si (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Experimental determination of the local geometry around In and In-C complexes in Si (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2006-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1063/1.2206703 (literal)

Alternative label

• D'Acapito F; Shimizu Y; Scalese S; Italia M; Alippi P; Grasso S (2006)
  Experimental determination of the local geometry around In and In-C complexes in Si
  in Applied physics letters
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• D'Acapito F; Shimizu Y; Scalese S; Italia M; Alippi P; Grasso S (literal)

Pagina inizio

• 212102-1 (literal)

Pagina fine

• 212102-3 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 88 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 3 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 21 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• European Synchrotron Radiat Facil, CNR-INFM, OGG, Grenoble, F-38043 France; Univ Tsukuba, Inst Appl Phys, Tsukuba, Ibaraki 3058573 Japan CNR-IMM Catania (literal)

Titolo

• Experimental determination of the local geometry around In and In-C complexes in Si (literal)

Abstract

• The electrical properties of dopants in Si are of primary importance for the realization of electronic devices. Indium represents a promising p-type dopant whose electrical properties are improved by codoping with C. From theoretical studies In and C are expected to pair in the Si matrix in order to lower the strain energy. In this contribution we provide the first direct experimental determination of the sites of In and In-C complexes in Si. (c) 2006 American Institute of Physics. (literal)

Prodotto di

• Sviluppo di metodologie avanzate per dispositivi elettronici micro e nanostrutturati (MD.P05.005.001) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Sviluppo di strumentazione e di metodologie sperimentali avanzate per lo studio delle proprieta strutturali dei materiali con raggi X da sincrotrone (MD.P04.007.001) (Modulo)

Autore CNR

• PAOLA ALIPPI (Persona)
• SILVIA SCALESE (Persona)
• FRANCESCO D'ACAPITO (Persona)
• MARKUS ITALIA (Persona)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Experimental determination of the local geometry around In and In-C complexes in Si" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• MARKUS ITALIA (Persona)
• PAOLA ALIPPI (Persona)
• SILVIA SCALESE (Persona)
• FRANCESCO D'ACAPITO (Persona)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Sviluppo di metodologie avanzate per dispositivi elettronici micro e nanostrutturati (MD.P05.005.001) (Modulo)
• Sviluppo di strumentazione e di metodologie sperimentali avanzate per lo studio delle proprieta strutturali dei materiali con raggi X da sincrotrone (MD.P04.007.001) (Modulo)

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• Applied physics letters (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Experimental determination of the local geometry around In and In-C complexes in Si" (Insieme di parole chiave)