The effect of thermal treatments on the local geometry around indium in In and In+C high dose implanted Si (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• The effect of thermal treatments on the local geometry around indium in In and In+C high dose implanted Si (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2006-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1016/j.nimb.2006.10.014 (literal)

Alternative label

• d'Acapito, F; Shimizu, Y; Scalese, S; Italia, M; Alippi, P; Grasso, S (2006)
  The effect of thermal treatments on the local geometry around indium in In and In+C high dose implanted Si
  in Nuclear instruments & methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms (Print)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• d'Acapito, F; Shimizu, Y; Scalese, S; Italia, M; Alippi, P; Grasso, S (literal)

Pagina inizio

• 59 (literal)

Pagina fine

• 62 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 253 (literal)

Rivista

• Nuclear instruments & methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• European Synchrotron Radiat Facil, CNR, INFM, OGG, F-38043 Grenoble, France; Univ Tsukuba, Inst Phys Appl, Tsukuba, Ibaraki 3058573, Japan; CNR, IMM, I-95121 Catania, Italy (literal)

Titolo

• The effect of thermal treatments on the local geometry around indium in In and In+C high dose implanted Si (literal)

Abstract

• In the quest of new p-type dopants for Si, indium represents a promising candidate for its low diffusivity even if it presents a very low solubility and a very deep acceptor state. It has been recently shown that by co-doping In implanted Si with C, a shallower state forms related to In-C complexes. In this contribution we investigate the effect of C co-implantation on the In local configuration for In concentration higher than the solid solubility limit in Si. We find evidence that C has the property of preventing the formation of In clusters by binding In also at high concentrations. This interaction has a clear effect on the dopant concentration profile and on electrical properties of the material. (c) 2006 Elsevier B.V. All rights reserved. (literal)

Prodotto di

• Sviluppo di metodologie avanzate per dispositivi elettronici micro e nanostrutturati (MD.P05.005.001) (Modulo)
• Sviluppo di strumentazione e di metodologie sperimentali avanzate per lo studio delle proprieta strutturali dei materiali con raggi X da sincrotrone (MD.P04.007.001) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• FRANCESCO D'ACAPITO (Persona)
• MARKUS ITALIA (Persona)
• PAOLA ALIPPI (Persona)
• SILVIA SCALESE (Persona)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "The effect of thermal treatments on the local geometry around indium in In and In+C high dose implanted Si" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• MARKUS ITALIA (Persona)
• PAOLA ALIPPI (Persona)
• SILVIA SCALESE (Persona)
• FRANCESCO D'ACAPITO (Persona)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Sviluppo di metodologie avanzate per dispositivi elettronici micro e nanostrutturati (MD.P05.005.001) (Modulo)
• Sviluppo di strumentazione e di metodologie sperimentali avanzate per lo studio delle proprieta strutturali dei materiali con raggi X da sincrotrone (MD.P04.007.001) (Modulo)

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• Nuclear instruments & methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Parole chiave di "The effect of thermal treatments on the local geometry around indium in In and In+C high dose implanted Si" (Insieme di parole chiave)