Carrier-induced quenching processes on the erbium luminescence in silicon nanocluster devices (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Carrier-induced quenching processes on the erbium luminescence in silicon nanocluster devices (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2006-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1103/PhysRevB.73.113302 (literal)

Alternative label

• Priolo, F; Presti, CD; Franzo, G; Irrera, A; Crupi, I; Iacona, F; Di Stefano, G; Piana, A; Sanfilippo, D; Fallica, PG (2006)
  Carrier-induced quenching processes on the erbium luminescence in silicon nanocluster devices
  in Physical review. B, Condensed matter and materials physics
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Priolo, F; Presti, CD; Franzo, G; Irrera, A; Crupi, I; Iacona, F; Di Stefano, G; Piana, A; Sanfilippo, D; Fallica, PG (literal)

Pagina inizio

• 113302 (literal)

Pagina fine

• 113302 (literal)

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• http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.73.113302 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 73 (literal)

Rivista

• Physical review. B, Condensed matter and materials physics (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• INFM, CNR, MATIS, I-95123 Catania, Italy; Univ Catania, Dipartimento Fis & Astron, I-95123 Catania, Italy; Scuola Super Catania, I-95123 Catania, Italy; CNR, IMM, Sez Catania, I-95121 Catania, Italy; STMicroelect, I-95121 Catania, Italy (literal)

Titolo

• Carrier-induced quenching processes on the erbium luminescence in silicon nanocluster devices (literal)

Abstract

• The luminescence-quenching processes limiting quantum efficiency in Er-doped silicon nanocluster light-emitting devices are investigated and identified. It is found that carrier injection, while needed to excite Er ions through electron-hole recombination, at the same time produces an efficient nonradiative Auger deexcitation with trapped carriers. This phenomenon is studied in detail and, on the basis of its understanding, we propose device structures in which sequential injection of electrons and holes can improve quantum efficiency by avoiding Auger processes. (literal)

Prodotto di

• Controllo su scala atomica dei materiali per dispositivi innovativi elettronici e fotonici basati su silicio. (MD.P05.006.001) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• FABIO SANTO IACONA (Persona)
• GIORGIA FRANZO' (Unità di personale interno)
• FRANCESCO PRIOLO (Persona)
• ISODIANA CRUPI (Unità di personale interno)
• ALESSIA IRRERA (Persona)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Carrier-induced quenching processes on the erbium luminescence in silicon nanocluster devices" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• GIORGIA FRANZO' (Unità di personale interno)
• ISODIANA CRUPI (Unità di personale interno)
• FRANCESCO PRIOLO (Persona)
• ALESSIA IRRERA (Persona)
• FABIO SANTO IACONA (Persona)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Controllo su scala atomica dei materiali per dispositivi innovativi elettronici e fotonici basati su silicio. (MD.P05.006.001) (Modulo)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Physical review. B, Condensed matter and materials physics (Rivista)

Insieme di parole chiave di

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