Critical nickel thickness to form silicide transrotational structures on [001] silicon (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Critical nickel thickness to form silicide transrotational structures on [001] silicon (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2006-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1063/1.2338019 (literal)

Alternative label

• Alberti, A; Bongiorno, C; Rimini, E; Grimaldi, MG (2006)
  Critical nickel thickness to form silicide transrotational structures on [001] silicon
  in Applied physics letters
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Alberti, A; Bongiorno, C; Rimini, E; Grimaldi, MG (literal)

Pagina inizio

• 102105 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#url

• http://apl.aip.org/resource/1/applab/v89/i10/p102105_s1 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 89 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 3 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• CNR, IMM, I-95121 Catania, Italy; Univ Catania, Dipartimento Fis, I-95123 Catania, Italy; INFM, CNR, MATIS, I-95123 Catania, Italy (literal)

Titolo

• Critical nickel thickness to form silicide transrotational structures on [001] silicon (literal)

Abstract

• The effect of the sputtered Ni layer thickness (7-14 nm) on the silicide phase transition was studied at 260 degrees C. In 7-nm-thick layers, the complete mixing of Ni and Si occurring during deposition produces stable Ni2Si transrotational structures which further evolve into similar NiSi domains within 50 min of annealing. In 14-nm-thick layers, the residual unmixed Ni atoms diffuse towards the interface and speed up the transition from Ni2Si to NiSi (25 min) by promoting the nucleation of polycrystaline NiSi grains. A competition between NiSi trans- and poly-structures occurs, and the resulting layer morphology depends on the reaction temperature. (c) 2006 American Institute of Physics. (literal)

Prodotto di

• Controllo su scala atomica dei materiali per dispositivi innovativi elettronici e fotonici basati su silicio. (MD.P05.006.001) (Modulo)
• Sviluppo di metodologie avanzate per dispositivi elettronici micro e nanostrutturati (MD.P05.005.001) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• ALESSANDRA ALBERTI (Persona)
• CORRADO BONGIORNO (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Critical nickel thickness to form silicide transrotational structures on [001] silicon" (Insieme di parole chiave)

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Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Sviluppo di metodologie avanzate per dispositivi elettronici micro e nanostrutturati (MD.P05.005.001) (Modulo)
• Controllo su scala atomica dei materiali per dispositivi innovativi elettronici e fotonici basati su silicio. (MD.P05.006.001) (Modulo)

Autore CNR di

• ALESSANDRA ALBERTI (Persona)
• CORRADO BONGIORNO (Unità di personale interno)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Applied physics letters (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Critical nickel thickness to form silicide transrotational structures on [001] silicon" (Insieme di parole chiave)