Microwave irradiation effects on random telegraph signal in a MOSFET (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Microwave irradiation effects on random telegraph signal in a MOSFET (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2007-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1016/j.physleta.2007.05.086 (literal)

Alternative label

• Prati, E; Fanciulli, M; Calderoni, A; Ferrari, G; Sampietro, M (2007)
  Microwave irradiation effects on random telegraph signal in a MOSFET
  in Physics Letter A (Print)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Prati, E; Fanciulli, M; Calderoni, A; Ferrari, G; Sampietro, M (literal)

Pagina inizio

• 491 (literal)

Pagina fine

• 493 (literal)

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• http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0375960107008298 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 370 (literal)

Rivista

• Physics Letter A (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

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• CNR, Lab Nazl Mat & Disposit Microelettron, Ist Nazl Fis Mat, I-20041 Agrate Brianza, Italy; Politecn Milan, Dipartimento Elettron & Informaz, I-20133 Milan, Italy (literal)

Titolo

• Microwave irradiation effects on random telegraph signal in a MOSFET (literal)

Abstract

• We report on the change of the characteristic times of the random telegraph signal (RTS) in a MOSFET operated under microwave irradiation up to 40 GHz as the microwave field power is raised. The effect is explained by considering the time dependency of the transition probabilities due to a harmonic voltage generated by the microwave field that couples with the wires connecting the MOSFET. The RTS experimental data are in agreement with the prediction obtained with our model. (C) 2007 Elsevier B.V. All rights reserved. (literal)

Prodotto di

• Manipolazione ottica e magnetica di gas degeneri: nuovi materaili e dispositivi (MD.P03.024.001) (Modulo)
• Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio (MD.P05.007.001) (Modulo)
• Qubit a base di silicio o SiGe e studio di gas elettronici bidimensionali in dispositivi nanoelettronici (MD.P06.019.001) (Modulo)

Autore CNR

• MARCO FANCIULLI (Persona)
• ENRICO PRATI (Persona)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Microwave irradiation effects on random telegraph signal in a MOSFET" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• MARCO FANCIULLI (Persona)
• ENRICO PRATI (Persona)

Prodotto

• Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio (MD.P05.007.001) (Modulo)
• Qubit a base di silicio o SiGe e studio di gas elettronici bidimensionali in dispositivi nanoelettronici (MD.P06.019.001) (Modulo)
• Manipolazione ottica e magnetica di gas degeneri: nuovi materaili e dispositivi (MD.P03.024.001) (Modulo)

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• Physics Letter A (Rivista)

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