Metodo per proteggere la superficie del 4H-SiC durante processi termici ad alta temperatura (Risultati di valorizzazione applicativa)

Type
Label
  • Metodo per proteggere la superficie del 4H-SiC durante processi termici ad alta temperatura (Risultati di valorizzazione applicativa) (literal)
Anno
  • 2010-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Alternative label
  • F. Roccaforte, S. Di Franco, V. Raineri (2010)
    Metodo per proteggere la superficie del 4H-SiC durante processi termici ad alta temperatura
    (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
  • F. Roccaforte, S. Di Franco, V. Raineri (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#altreInformazioni
  • Il processo è partcolarmente efficace perché i metodi proposti in letteratura non considerano l'aspetto delle proprietà elettriche di superficie che vengono compromesse. (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#proprieta
  • CNR-IMM (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#riferimentiUtilizzatori
  • Il processo è stato trasferito ad STMicroelectronics nell'ambito di un contratto di ricerca. (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni
  • CNR-IMM Catania Italy (literal)
Titolo
  • Metodo per proteggere la superficie del 4H-SiC durante processi termici ad alta temperatura (literal)
Descrizione sintetica
  • Il processo include un metodo per la formazione di uno strato protettivo sulla superficie del SiC compatibile con i processi standard e della sua rimozione senza alterare le caratteristiche elettriche della superficie. (literal)
Prodotto di
Autore CNR
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