MOSFET verticali 1200 V in SiC (Risultati di valorizzazione applicativa)

Type
Label
  • MOSFET verticali 1200 V in SiC (Risultati di valorizzazione applicativa) (literal)
Anno
  • 2008-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Alternative label
  • M. Saggio, E. Zanetti, F. Frisina, F. Roccaforte, F. Giannazzo, V. Raineri (2008)
    MOSFET verticali 1200 V in SiC
    (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
  • M. Saggio, E. Zanetti, F. Frisina, F. Roccaforte, F. Giannazzo, V. Raineri (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#altreInformazioni
  • Il dispositivo è stato dimostrato a livello prototipale. Sono in corso ulteriori sviluppi ed implementazioni (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#proprieta
  • STMicroelectronics, ceduta nell'ambito di un contratto di ricerca (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni
  • STMicroelectronics R&D Catania (literal)
Titolo
  • MOSFET verticali 1200 V in SiC (literal)
Descrizione sintetica
  • Si tratta di MOSFET verticali in SiC con epitassia di 8 microns e struttura a celle. Il dispositivo lavora a 1200 V ed ha una mobilità di canale max di 10 cm2/Vs (literal)
Prodotto di
Autore CNR

Incoming links:


Autore CNR di
Prodotto
data.CNR.it