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MOSFET verticali 1200 V in SiC (Risultati di valorizzazione applicativa)
- Type
- Label
- MOSFET verticali 1200 V in SiC (Risultati di valorizzazione applicativa) (literal)
- Anno
- 2008-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
- Alternative label
M. Saggio, E. Zanetti, F. Frisina, F. Roccaforte, F. Giannazzo, V. Raineri (2008)
MOSFET verticali 1200 V in SiC
(literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
- M. Saggio, E. Zanetti, F. Frisina, F. Roccaforte, F. Giannazzo, V. Raineri (literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#altreInformazioni
- Il dispositivo è stato dimostrato a livello prototipale. Sono in corso ulteriori sviluppi ed implementazioni (literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#proprieta
- STMicroelectronics, ceduta nell'ambito di un contratto di ricerca (literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni
- STMicroelectronics R&D Catania (literal)
- Titolo
- MOSFET verticali 1200 V in SiC (literal)
- Descrizione sintetica
- Si tratta di MOSFET verticali in SiC con epitassia di 8 microns e struttura a celle. Il dispositivo lavora a 1200 V ed ha una mobilità di canale max di 10 cm2/Vs (literal)
- Prodotto di
- Autore CNR
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