Codice Montecarlo per la simulazione della crescita del SiC (3C e 4H) (Risultati di valorizzazione applicativa)

Type

• Risultati di valorizzazione applicativa (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Codice Montecarlo per la simulazione della crescita del SiC (3C e 4H) (Risultati di valorizzazione applicativa) (literal)

Anno

• 2008-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Massimo Camarda, Antonino La Magna, Francesco La Via (2008)
  Codice Montecarlo per la simulazione della crescita del SiC (3C e 4H)
  
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Massimo Camarda, Antonino La Magna, Francesco La Via (literal)

Titolo

• Codice Montecarlo per la simulazione della crescita del SiC (3C e 4H) (literal)

Descrizione sintetica

• Con questo codice è possibile simulare la crescita epitasiale del SiC al variare di diversi parametri di crescita (temperatura, growth rate) e del substrato (orientazione, angolo di taglio, ...). Possono essere inoltre introdotti diversi tipi di difetti cristallografici e vedere la loro stabilità nelle condizioni di processo utilizzate. Possono essere inoltre studiati gli effetti dei parametri di processo sulla struttura della superficie. (literal)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS (MD.P05.009.001) (Modulo)

Autore CNR

• MASSIMO CAMARDA (Unità di personale esterno)
• FRANCESCO LA VIA (Unità di personale interno)
• ANTONINO LA MAGNA (Unità di personale interno)

Incoming links:

Autore CNR di

• ANTONINO LA MAGNA (Unità di personale interno)
• FRANCESCO LA VIA (Unità di personale interno)
• MASSIMO CAMARDA (Unità di personale esterno)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS (MD.P05.009.001) (Modulo)