Fabbricazione di diodi Schottky su GaN su zaffiro (Risultati di valorizzazione applicativa)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Risultati di valorizzazione applicativa (Classe)

Label

• Fabbricazione di diodi Schottky su GaN su zaffiro (Risultati di valorizzazione applicativa) (literal)

Anno

• 2007-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• F. Roccaforte, F. Iucolano, V. Raineri (2007)
  Fabbricazione di diodi Schottky su GaN su zaffiro
  
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• F. Roccaforte, F. Iucolano, V. Raineri (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#riferimentiUtilizzatori

• Si sta procedendo al trasferimento tecnologico verso ST Microelectronics ed allo sviluppo congiunto di prodotti di potenza (600 V, 1-4 A) (literal)

Titolo

• Fabbricazione di diodi Schottky su GaN su zaffiro (literal)

Descrizione sintetica

• Si tratta di diodi Schottky con Vf<1.2 V. (literal)

Prodotto di

• Semiconduttori innovativi per elettronica di potenza ed Rf (MD.P05.003.001) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• Ferdinando Iucolano (Unità di personale esterno)
• FABRIZIO ROCCAFORTE (Persona)
• VITO RAINERI (Persona)

Incoming links:

Autore CNR di

• FABRIZIO ROCCAFORTE (Persona)
• VITO RAINERI (Persona)
• Ferdinando Iucolano (Unità di personale esterno)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Semiconduttori innovativi per elettronica di potenza ed Rf (MD.P05.003.001) (Modulo)