Realizzazione di Rivelatori UV in 4H-SiC ad alta efficienza (Risultati di valorizzazione applicativa)

Type
Label
  • Realizzazione di Rivelatori UV in 4H-SiC ad alta efficienza (Risultati di valorizzazione applicativa) (literal)
Anno
  • 2007-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Alternative label
  • A. Sciuto, F. Roccaforte, V. Raineri (2007)
    Realizzazione di Rivelatori UV in 4H-SiC ad alta efficienza
    (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
  • A. Sciuto, F. Roccaforte, V. Raineri (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#altreInformazioni
  • Il prodotto trova applicazioni in dosimetria ed in interconnettività wireless. Particolarmente questa applicazione è di interesse in quanto tende a sostituire quella ad infrarossi che necessita che sorgente e rivelatore siano direttamente visibili. Nel caso degli UV ostacoli possono essere aggirati. (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#riferimentiUtilizzatori
  • Si sta procedendo al trasferimento tecnologico presso la ST Microelectronics (literal)
Titolo
  • Realizzazione di Rivelatori UV in 4H-SiC ad alta efficienza (literal)
Descrizione sintetica
  • Si tratta di rivelatori UV realizzati mediante diodi Schottky in 4H-SiC utilizzando lo svuotamento laterale e quindi, grazie a questo effetto, collezionano portatori fin dalla superficie. Mostrano quindi elevata QE(%) del 40% a 270 nm con una rejection rate >7000 e tempi di risposta 200(%) ma sono lenti e possono essere usati solo come dosimetri. (literal)
Prodotto di
Autore CNR

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