Processo di fabbricazione di rivelatori IR di tipo termoelettrico con layer interferometrico ad elevato assorbimento nella banda 3-5 µm (Progetti)

Type
Label
  • Processo di fabbricazione di rivelatori IR di tipo termoelettrico con layer interferometrico ad elevato assorbimento nella banda 3-5 µm (Progetti) (literal)
Anno
  • 2004-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Alternative label
  • Roncaglia A, Mancarella F, Cardinali GC (2004)
    Processo di fabbricazione di rivelatori IR di tipo termoelettrico con layer interferometrico ad elevato assorbimento nella banda 3-5 µm
    (literal)
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  • Roncaglia A, Mancarella F, Cardinali GC (literal)
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  • Progetto Europeo NETGAS (FP5-IST-2001-37802) (literal)
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  • CNR IMM Bologna, I-40129 Bologna, Italy (literal)
Titolo
  • Processo di fabbricazione di rivelatori IR di tipo termoelettrico con layer interferometrico ad elevato assorbimento nella banda 3-5 µm (literal)
Descrizione sintetica
  • É stato sviluppato un processo di fabbricazione di rivelatori IR di tipo termoelettrico costitutiti da termocoppie di polisilicio fortemente drogato con connessioni di alluminio o platino, realizzati su membrane dielettriche microlavorate dal fronte su substrati di silicio massivi. All'interno dell'area utile del dispositivo, è stato integrato un assorbitore interferometrico che permette di incrementare notevolmente la potenza ottica assorbita dal dispositivo nella banda 3-5 µm (utile per gas sensing NDIR nella prima finestra atmosferica). (literal)
Prodotto di
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