Flusso di processo per la fabbricazione di MOSFET su 4H SiC con elevata mobilita (Progetti)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Progetti (Classe)

Label

• Flusso di processo per la fabbricazione di MOSFET su 4H SiC con elevata mobilita (Progetti) (literal)

Anno

• 2007-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Moscatelli F, Nipoti R, Poggi A, Solmi S (2007)
  Flusso di processo per la fabbricazione di MOSFET su 4H SiC con elevata mobilita
  
  (literal)

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• Moscatelli F, Nipoti R, Poggi A, Solmi S (literal)

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• Il processo prevede l'impianto di azoto in condizioni da amorfizzare un sottile strato sulperficiale del semiconduttore ottenendo in questo modo, oltre al miglioramento della mobilita', un forte aumento della cinetica di ossidazione ed una conseguente riduzione del tempo di processo. Parte del processo e' stato brevettato nel 2006. (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• IMM-Bologna, Via Gobetti,101, 40129 Bologna (literal)

Titolo

• Flusso di processo per la fabbricazione di MOSFET su 4H SiC con elevata mobilita (literal)

Descrizione sintetica

• Flusso di processo di fabbricazione di MOSFET in 4H SiC basato su un impianto di azoto nella regione di canale del transistore. La presenza dell'azoto all'interfaccia ossido-SiC riduce sensibilmente la densita' di stati interfacciali ed aumenta conseguentemente la mobilita' degli elettroni nel canale. (literal)

Prodotto di

• Semiconduttori innovativi per elettronica di potenza ed Rf (MD.P05.003.001) (Modulo)
• Sviluppo di tecnologie per una elettronica integrata a base di SiC (MD.P05.003.003) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• FRANCESCO MOSCATELLI (Unità di personale esterno)
• ANTONELLA POGGI (Unità di personale interno)
• SANDRO SOLMI (Unità di personale interno)
• ROBERTA NIPOTI (Unità di personale interno)

Incoming links:

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Sviluppo di tecnologie per una elettronica integrata a base di SiC (MD.P05.003.003) (Modulo)
• Semiconduttori innovativi per elettronica di potenza ed Rf (MD.P05.003.001) (Modulo)

Autore CNR di

• SANDRO SOLMI (Unità di personale interno)
• ANTONELLA POGGI (Unità di personale interno)
• ROBERTA NIPOTI (Unità di personale interno)
• FRANCESCO MOSCATELLI (Unità di personale esterno)