Processo di crescita omo-epitassiale di SiC ad altissima velocità di crescita (Progetti)

Type

• Progetti (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Processo di crescita omo-epitassiale di SiC ad altissima velocità di crescita (Progetti) (literal)

Anno

• 2006-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• La Via F. (2006)
  Processo di crescita omo-epitassiale di SiC ad altissima velocità di crescita
  
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• La Via F. (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#altreInformazioni

• Il processo così ottimizzato è attualmente il processo di punta per quanto riguarda i processi di omo-epitassia su SiC e ciò è stato riconosciuto a livello internazionale con la richiesta di scrivere due articoli su invito su due prestigiose riviste internazionali (Journal of Chemical Vapour Deposition e Compound Semiconductor). (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#note

• E' stato sviluppato un processo di crescita omo-epitassiale di SiC 4H in grado di raggiungere velocità di crescita maggiori di 100 micron/ora con una buona morfologia superficiale e una bassa difettosità. Questo risultato è stato possibile grazie all'aggi (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• CNR-IMM sezione di Catania, Stradale Primosole 50, 95121 Catania, Italy (literal)

Titolo

• Processo di crescita omo-epitassiale di SiC ad altissima velocità di crescita (literal)

Descrizione sintetica

• Il processo permette di raggiungere alte velocità di crescita e una bassa difettosità per quanto riguarda la crescita omo-epitassiale di carburo di silicio. E' stato sviluppato un primo processo in cui è stato aggiunto l'acido cloridrico insieme ai precursori tradizionale (silano ed etilene). Nella seconda versione del processo si è sostituito al silano il triclorosilano che contiene già al suo interno tre atomi di cloro. Questo secondo processo ha il vantaggio che eliminando il silano si ha un processo più stabile e sicuro (il silano è piroforico) che può essere utilizzato più facilmente in ambito industriale. Questo processo ad altissima velocità di crescita permette di crescere spessori notevoli (100 micron) in tempi ragionevoli (1 ora) con una bassa difettosità. Questa nuova capacità può permettere la realizzazione di dispositivi di potenza con tensioni di breakdown di 10 kV che sono molto interessanti per le applicazioni nei motori elettrici, le macchine ibride, le stazioni di trasformazione dell'alta tensione a stato solido, ... Inoltre gli alti spessori di epitassia sono fondamentali anche per l'utilizzo del SiC come rivelatore di particelle nucleari in aria o come rivelatore di raggi X per la realizzazione di radiografie digitali. Quindi questo nuovo processo di crescita apre nuove applicazioni per questo materiale in cui il carburo di silicio non ha altri semiconduttori concorrenti. (literal)

Prodotto di

• Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS (MD.P05.009.001) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• FRANCESCO LA VIA (Unità di personale interno)

Incoming links:

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS (MD.P05.009.001) (Modulo)

Autore CNR di

• FRANCESCO LA VIA (Unità di personale interno)