Diodo Schottky da 600 V 4 A in carburo di silicio (Manufatti, prototipi d'arte e relativi progetti)

Type
Label
  • Diodo Schottky da 600 V 4 A in carburo di silicio (Manufatti, prototipi d'arte e relativi progetti) (literal)
Anno
  • 2003-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Alternative label
  • Roccaforte F. 1, Raineri V. 1, Di Franco S. 1, La Via F. 1 (2003)
    Diodo Schottky da 600 V 4 A in carburo di silicio
    (literal)
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  • Roccaforte F. 1, Raineri V. 1, Di Franco S. 1, La Via F. 1 (literal)
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  • Si tratta di dispositivi che se sviluppati e prodotti industrialmente possono avere un mercato ampio. Le applicazioni sono orientate a circuiti per controllo motori elettrici (inverter, veicoli elettrici) o per alimentatori switching. Questi alimentatori costituiscono ormai la maggioranza dei gruppi di alimentazione nell’elettronica di consumo e tendono alla sostituzione completa dei gruppi di alimentazione in tutti gli apparecchi elettrici. Attualmente questi prodotti prevedono l’utilizzo di tradizionali dispositivi in Si che causano severe limitazioni nelle prestazioni e nel peso finale del gruppo di alimentazione a causa di elementi aggiuntivi necessari. Attualmente dispositivi simili ai nostri sono prodotti da Infineon (Germania) e CREE (USA) e cominciano ad essere utilizzati in alcune applicazioni ad alto costo (gruppi di alimentazione per server e centraline telefoniche). E’ in corso il trasferimento tecnologico presso la STMicroelectronics (Italia) per la produzione industriale. (literal)
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  • 1 IMM-CNR Sezione di Catania (literal)
Titolo
  • Diodo Schottky da 600 V 4 A in carburo di silicio (literal)
Descrizione sintetica
  • Sono stati realizzati dei diodi su substrati 4H-SiC da 50 mm di diametro, di tipo n+. Elementi innovativi della tecnologia sviluppata sono il materiale di partenza, la struttura di bordo, e la barriera in Ti. Il materiale di partenza è un semiconduttore ad ampia banda proibita la cui tecnologia di fabbricazione è in linea di principio compatibile con la normale tecnologia utilizzata per il Si. Tuttavia si tratta di una tecnologia avanzata interamente sviluppata presso l’IMM-CNR di Catania. La struttura di bordo prevede elementi misti (anello e field plate) integrati ed è parzialmente coperta da brevetto. L’utilizzo della barriera in Ti richiede lo sviluppo di una delicata e critica fase di preparazione della superficie sviluppata presso IMM. Altri elementi della tecnologia prevedono metallizzazione fronte mediante barriera TiN ed alluminio e retro mediante Ti/Ni/Au su contatto in Ni2Si. I diodi sviluppati dimostrano la possibilità di realizzare diodi Schottky ad alta tensione (in silicio la tensione massima ottenibile è 300 V) e per alte correnti. Dispositivi a tensioni maggiori di 300 V vengono attualmente sviluppati in silicio mediante tecnologie bipolari che tuttavia presentano tempi di commutazione dell’ordine delle centinaia di nanosecondi. I diodi Schottky sviluppati hanno tempi di commutazione dell’ordine del nanosecondo. (literal)
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