Nanospettroscopia ottica quantitativa ad alta risoluzione laterale ed in profondità (Progetti)

Type
Label
  • Nanospettroscopia ottica quantitativa ad alta risoluzione laterale ed in profondità (Progetti) (literal)
Anno
  • 2003-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Alternative label
  • Salviati G., Grillo V., Armani N., Rossi F., Martinez O. (2003)
    Nanospettroscopia ottica quantitativa ad alta risoluzione laterale ed in profondità
    (literal)
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  • Salviati G., Grillo V., Armani N., Rossi F., Martinez O. (literal)
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  • Il prodotto è di interesse per la comunità scientifica e per l’industria essendo l'unico nel panorama internazionale in grado di considerare i dettagli fisici di strutture quantiche, interfacce, difetti etc. E’ stato sviluppato in collaborazione con il TASC-INFM, e con le Università di Roma 2, Firenze, Padova e Parma ed è stato ottenuto simulando: 1) l’iniezione dei portatori attraverso il metodo Monte Carlo; 2) la loro diffusione attraverso un processo tipo random walk in cui il tempo viene discretizzato e le particelle vengono simulate singolarmente imponendo ad ogni passo uno spostamento con distribuzione di tipo Gaussiano e ricombinazione con probabilità dipendente dal tempo di vita dei portatori. (Questo schema è la vera novità del metodo in quanto consente di integrare sia la ricombinazione superficiale sia i gradi di libertà interni a sistemi quantici); 3) l’assorbimento ottico e le riflessioni interne per ogni punto del materiale e per le diverse lunghezze d’onda coinvolte. (literal)
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  • IMEM-CNR, Parma; TASC-INFM, Trieste; Università di Parma; Università di Valladolid (Spagna); (literal)
Titolo
  • Nanospettroscopia ottica quantitativa ad alta risoluzione laterale ed in profondità (literal)
Descrizione sintetica
  • Lo studio delle proprietà ottiche di semiconduttori per applicazioni opto e nanoelettroniche è di fondamentale importanza per il miglioramento delle prestazioni dei dispositivi. Tra le tecniche di caratterizzazione ottica in grado di fornire un’informazione quantitativa su scala nanometrica, la Catodoluminescenza è l’unica che consenta di variare contemporaneamente volumi (risoluzione in profondità), densità di iniezione (studio dei livelli eccitati) e risoluzione laterale senza mutare la sorgente di illuminazione. Presso IMEM è stato avviato lo sviluppo quantitativo della tecnica determinando della densità dei portatori mediante la simulazione e verifica sperimentalmente dei processi su cui si basa l’emissione di Catodoluminescenza. Ciò ha consentito ad esempio lo studio di emissioni ottiche di strutture verticali di punti quantici per laser IR e VIS, il calcolo dell’entità di campi interni in buche quantiche in condizioni di banda piatta per laser e LED VIS, la determinazione delle transizioni ottiche di singoli nanofili di ossidi semiconduttori per sensori di gas etc. Ciò ha reso possibile partecipare ad un Progetto Europeo nel V FP, avere finanziato e coordinato un Progetto di Grande Rilevanza del MAE in collaborazione con NTT-JAP, pubblicare numerosi lavori su riviste internazionali, ottenere comunicazioni su invito a conferenze internazionali, partecipare a due Laboratori di Eccellenza della Regione Emilia Romagna ed avvalersi di due Visiting Professors per un anno. (literal)
Prodotto di
Autore CNR
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