Growth by molecular beam epitaxy and electrical characterization of GaAs nanowires (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Growth by molecular beam epitaxy and electrical characterization of GaAs nanowires (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2007-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1016/j.physe.2006.07.002 (literal)

Alternative label

• Piccin, M; Bais, G; Grillo, V; Jabeen, F; De Franceschi, S; Carlino, E; Lazzarino, M; Romanato, F; Businaro, L; Rubini, S; Martelli, F; Franciosi, A (2007)
  Growth by molecular beam epitaxy and electrical characterization of GaAs nanowires
  in Physica. E, Low-dimensional systems and nanostructures (Print)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Piccin, M; Bais, G; Grillo, V; Jabeen, F; De Franceschi, S; Carlino, E; Lazzarino, M; Romanato, F; Businaro, L; Rubini, S; Martelli, F; Franciosi, A (literal)

Pagina inizio

• 134 (literal)

Pagina fine

• 137 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 37 (literal)

Rivista

• Physica. E, Low-dimensional systems and nanostructures (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• CNR, INFM, TASC, Lab Nazl, I-34012 Trieste, Italy; Univ Trieste, Ctr Excellence Nanostruct Mat, I-34127 Trieste, Italy (literal)

Titolo

• Growth by molecular beam epitaxy and electrical characterization of GaAs nanowires (literal)

Abstract

• We report on structural and electrical properties of GaAs nanowires (NWs) grown by molecular beam epitaxy (MBE) on GaAs and SiO2 substrates using Au as growth catalyst. Au-Ga particles are observed on the top of the NWs by transmission electron microscopy (TEM). In most of the observed cases, individual particles contain two Au-Ga compositions, in particular orthorhombic AuGa and beta' hexagonal Au7Ga2. The wires grown on GaAs are regularly shaped and tidily oriented on both (1 0 0) and (1 1 1)B substrates. TEM also reveals that the NWs have a wurtzite lattice structure. Electrical transport measurements indicate that nominally undoped NWs are weakly n-type while both Be- and Si-doped wires show p-type behaviour. The effect of the lattice structure on impurity incorporation is briefly discussed. (C) 2006 Elsevier B.V. All rights reserved. (literal)

Prodotto di

• Sintesi e studio delle proprieta' strutturali, ottiche ed elettroniche di sistemi aventi almeno una dimensione nanometrica (MD.P06.018.001) (Modulo)
• Sviluppo di metodologie di microscopia elettronica per lo studio a risoluzione atomica delle proprieta' strutturali, elettroniche e magnetiche dei materiali (MD.P04.006.003) (Modulo)

Autore CNR

• SILVIA RUBINI (Unità di personale interno)
• ELVIO CARLINO (Unità di personale interno)
• FAUSTINO MARTELLI (Unità di personale interno)
• MARCO LAZZARINO (Persona)
• FILIPPO ROMANATO (Unità di personale interno)
• LUCA BUSINARO (Persona)
• ALFONSO FRANCIOSI (Persona)
• VINCENZO GRILLO (Persona)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Growth by molecular beam epitaxy and electrical characterization of GaAs nanowires" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• VINCENZO GRILLO (Persona)
• MARCO LAZZARINO (Persona)
• LUCA BUSINARO (Persona)
• ELVIO CARLINO (Unità di personale interno)
• FAUSTINO MARTELLI (Unità di personale interno)
• SILVIA RUBINI (Unità di personale interno)
• FILIPPO ROMANATO (Unità di personale interno)
• ALFONSO FRANCIOSI (Persona)

Prodotto

• Sviluppo di metodologie di microscopia elettronica per lo studio a risoluzione atomica delle proprieta' strutturali, elettroniche e magnetiche dei materiali (MD.P04.006.003) (Modulo)
• Sintesi e studio delle proprieta' strutturali, ottiche ed elettroniche di sistemi aventi almeno una dimensione nanometrica (MD.P06.018.001) (Modulo)

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• Physica. E, Low-dimensional systems and nanostructures (Rivista)

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