Procedimento di formazione di contatti ohmici su carburo di silicio con migliorate caratteristiche morfologiche ed elettriche dell'interfaccia (Brevetto)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Brevetto (Classe)
• Brevetto (Classe)

Label

• Procedimento di formazione di contatti ohmici su carburo di silicio con migliorate caratteristiche morfologiche ed elettriche dell'interfaccia (Brevetto) (literal)

Anno

• 2003-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Roccaforte F, La Via F, Raineri V, Saggio M (2003)
  Procedimento di formazione di contatti ohmici su carburo di silicio con migliorate caratteristiche morfologiche ed elettriche dell'interfaccia
  ITVA20020003
  (literal)

Titolo

• Procedimento di formazione di contatti ohmici su carburo di silicio con migliorate caratteristiche morfologiche ed elettriche dell'interfaccia (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Roccaforte F, La Via F, Raineri V, Saggio M (literal)

Numero brevetto

• ITVA20020003 (literal)

Anno di deposito

• 2003 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• IMM-CNR Catania STMicroelectronics Catania (literal)

Titolo

• Procedimento di formazione di contatti ohmici su carburo di silicio con migliorate caratteristiche morfologiche ed elettriche dell'interfaccia (literal)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS (MD.P05.009.001) (Modulo)
• Semiconduttori innovativi per elettronica di potenza ed Rf (MD.P05.003.001) (Modulo)

Autore CNR

• FRANCESCO LA VIA (Unità di personale interno)
• VITO RAINERI (Persona)
• FABRIZIO ROCCAFORTE (Persona)

Incoming links:

Autore CNR di

• FABRIZIO ROCCAFORTE (Persona)
• VITO RAINERI (Persona)
• FRANCESCO LA VIA (Unità di personale interno)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Semiconduttori innovativi per elettronica di potenza ed Rf (MD.P05.003.001) (Modulo)
• Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS (MD.P05.009.001) (Modulo)