Method for manufacturing isolating structures (Brevetto)

Type
Label
  • Method for manufacturing isolating structures (Brevetto) (literal)
Anno
  • 2004-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Alternative label
  • Raineri V, Saggio M (2004)
    Method for manufacturing isolating structures
    US 6,762,112 b2
    (literal)
Titolo
  • Method for manufacturing isolating structures (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
  • Raineri V, Saggio M (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#altreInformazioni
  • E' stato ideato un metodo per formare strutture isolate in uno strato di carburo di silicio (SiC). Il metodo consiste nel depositare uno strato mascherante sulla prima e sulla seconda porzione dello strato di SiC. Successivamente vengono realizzate delle aperture attraverso lo strato mascherante lasciando scoperta la prima porzione di SiC. Ioni vengono impiantati in questa porzione di materiale. Il SiC è quindi riscaldato per formare in queste zone impiantate uno strato di ossido. La primaa porzione (ossidata) è attaccatta chimicamente formando zone isolate sullo strato di carburo di silicio. (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/brevetti.owl#ricaduteEconomicheOccupazionali
  • Ricadute nel campo delle applicazioni microelettroniche per il miglioramento delle presatzioni di una vasta gamma di dispositivi. (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/brevetti.owl#settoreMerceologicoISTAT
  • Dispositivi microelettronici (literal)
Numero brevetto
  • US 6,762,112 b2 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#descrizioneSinteticaDelProdotto
  • A method for forming isolating structures in a silicon carbide layer includes depositing a masking layer on first and second portions of the silicon carbide layer, and forming openings through the masking layer to expose the first portions of the silicon carbide layer. Ions are implanted into the first portions of the silicon carbide layer. The silicon carbide layer is heated to form an oxide layer thereon having first portions on the first portions of the silicon carbide layer, and having second portions on the second portions of the silicon carbide layer. The first portions of the oxide layer are etched to form isolating regions in the silicon carbide layer. (literal)
Anno di deposito
  • 2004 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni
  • 1 IMM-CNR Sezione di Catania, 2 STMicroelectronics (literal)
Titolo
  • Method for manufacturing isolating structures (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/brevetti.owl#trasferimentoBrevetto
  • E' in corso il trasferimento del know-how alla STMicroelectronics di Catania per lo sfruttamento industriale dell'invenzione. (literal)
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