Method of fabricating electronic devices integrated in semiconductor substrates provided with gettering sites, and a device fabricated by the method (Brevetto)

Type

• Brevetto (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)
• Brevetto (Classe)

Label

• Method of fabricating electronic devices integrated in semiconductor substrates provided with gettering sites, and a device fabricated by the method (Brevetto) (literal)

Anno

• 2004-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Saggio M, Raineri V, Stagnitti U, Mugavero S (2004)
  Method of fabricating electronic devices integrated in semiconductor substrates provided with gettering sites, and a device fabricated by the method
  US 6,709,955 B2
  (literal)

Titolo

• Method of fabricating electronic devices integrated in semiconductor substrates provided with gettering sites, and a device fabricated by the method (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Saggio M, Raineri V, Stagnitti U, Mugavero S (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#altreInformazioni

• Si tratta di una metodologia di fabbricazione di dispositivi microelettronici, integrati monoliticamente in un substrato semiconduttore, nei quali almeno una regione non attiva risulta contigua ad almeno una regione attiva. Tale metodologia cconsiste in un porcesso di impiantazione ionica di gas nobili seguito da un trattamento termico per formare microcavità con funzione di getter dopo evaporazione del gas nobile. L'impiantazione ionica è eseguita nella regione non attiva del dispositivo. (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/brevetti.owl#ricaduteEconomicheOccupazionali

• L'idea permette di migliorare le prestazioni di molteplici dispositivi microelettronici nel campo della radio frequenza. Si tratta di un settore con amplissime ricadute di mercato. (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/brevetti.owl#settoreMerceologicoISTAT

• Dispositivi microelettronici (literal)

Numero brevetto

• US 6,709,955 B2 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#descrizioneSinteticaDelProdotto

• A method of fabricating electronic devices, integrated monolithically in a semiconductor substrate having at least one non-active area contiguous with at least one device active area, which method comprises at least one step of implanting ions of a noble gas, followed by a thermal treatment to form getter microcavities in the semiconductor by evaporation of the noble gas, wherein the implanting step is carried out in the non-active area of the semiconductor. (literal)

Anno di deposito

• 2004 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• 1 STMicroelectronics, 2 IMM-CNR Sezione di Catania (literal)

Titolo

• Method of fabricating electronic devices integrated in semiconductor substrates provided with gettering sites, and a device fabricated by the method (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/brevetti.owl#trasferimentoBrevetto

• Al momento è in corso il processo di traferimento ed industrializzazione del prodotto presso la STMicroelectronics di Catania. (literal)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Semiconduttori innovativi per elettronica di potenza ed Rf (MD.P05.003.001) (Modulo)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Method of fabricating electronic devices integrated in semiconductor substrates provided with gettering sites, and a device fabricated by the method" (Insieme di parole chiave)

Incoming links:

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Semiconduttori innovativi per elettronica di potenza ed Rf (MD.P05.003.001) (Modulo)

Insieme di parole chiave di

• Parole chiave di "Method of fabricating electronic devices integrated in semiconductor substrates provided with gettering sites, and a device fabricated by the method" (Insieme di parole chiave)