Procedimento per incrementare la stabilità termica di siliciuri su silicio (Brevetto)

Type
Label
  • Procedimento per incrementare la stabilità termica di siliciuri su silicio (Brevetto) (literal)
Anno
  • 2003-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Alternative label
  • ALBERTI Alessandra; La Via Francesco; Ravesi Sebastiano (2003)
    Procedimento per incrementare la stabilità termica di siliciuri su silicio
    (literal)
Titolo
  • Procedimento per incrementare la stabilità termica di siliciuri su silicio (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
  • ALBERTI Alessandra; La Via Francesco; Ravesi Sebastiano (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#proprieta
  • intellettuale del CNR-IMM,economica di STMicroelectronics (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/brevetti.owl#tipoDiBrevetto
  • Nazionale (literal)
Numero brevetto
  • IT1331476 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#descrizioneSinteticaDelProdotto
  • Si tratta di un processo basato sulla creazione di void (indotte da impiantazione di N) che permettono di incremetare la stabilità dei siliciuri. (literal)
Anno di deposito
  • 2003 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni
  • CNR-IMM (Alberti, La Via), STMicroelectronics (Ravesi) (literal)
Titolo
  • Procedimento per incrementare la stabilità termica di siliciuri su silicio (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/brevetti.owl#annoDiConcessione
  • 2005 (literal)
Abstract
  • Il procedimento per incrementare la stabilità termica di uno strato di siliciuro su silicio, comprende le fasi di: formare uno strato di siliciuro (5') al di sopra di una regione di silicio (1'), lo strato di siliciuro e la regione di silicio definendo fra loro un'interfaccia; e formare cavità (6) in corrispondenza della interfaccia. Le cavità vengono formate impiantando elementi gassosi nella regione di silicio (1) ed eseguendo un trattamento termico. Gli elementi gassosi utilizzabili per l'impianto sono ad esempio azoto, argon, idrogeno o elio e l'impianto può essere eseguito prima della formazione dello strato di siliciuro o dopo. In tal modo, lo strato di siliciuro diventa più stabile in temperatura e non si degrada apprezzabilmente fino a temperature superiori rispetto a quelle dei siliciuri non stabilizzati (literal)
Prodotto di
Autore CNR
Insieme di parole chiave

Incoming links:


Prodotto
Autore CNR di
Insieme di parole chiave di
data.CNR.it