http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID144891
Memory cell structure integrated on semiconductor (Brevetto)
- Type
- Label
- Memory cell structure integrated on semiconductor (Brevetto) (literal)
- Anno
- 2004-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
- Alternative label
Salvatore Lombardo, Cosimo Gerardi, Isodiana Crupi, Massimo Melanotte, (2004)
Memory cell structure integrated on semiconductor
(literal)
- Titolo
- Memory cell structure integrated on semiconductor (literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
- Salvatore Lombardo, Cosimo Gerardi, Isodiana Crupi, Massimo Melanotte, (literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#altreInformazioni
- Si tratta di un'idea maturata neell'ambito dell'attività di ricerca nel campo dei dispositivi di memoria a nanostrutture in silicio che da qualche anno vede impegnati i ricercatori dell'IMM-CNR Sezione di Catania. Questa attività è oggetto di un progetto europeo (ADAMANT) e, oltre a produrre un notevole numero di pubblicazioni scientifiche in riviste quotate, si sta dimostrando particolarmente fruttuosa in termini di trasferimento tecnologico per concrete applicazioni industriali. (literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/brevetti.owl#ricaduteEconomicheOccupazionali
- Si tratta di dispositivi che hanno impatto in un mercato di dimensioni considerevoli. (literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#proprieta
- ST MICROELECTRONICS SRL; CNR IMETEM (literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#url
- http://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio;jsessionid=889F0992AA5CB6707837BDB093E67968.espacenet_levelx_prod_1?FT=D&date=20010801&DB=&&CC=EP&NR=1120836A1&KC=A1&ND=1&locale=en_EP (literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/brevetti.owl#tipoDiBrevetto
- Numero brevetto
- US 6,772,992 B1 (literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#descrizioneSinteticaDelProdotto
- L'invenzione si riferisce alla possibilità di realizzare una cella di memoria comprendente un capacitore che ha due elettrodi separati da uno strato dielettrico. Questo strato dielettrico consiste in uno strato di materiale semi-isolante completamente immerso in un materiale isolante e nel quale è intrappolata permanentemente una carica elettrica. Questa carica elettrica accumulata vicino al primo o al secondo elettrodo, a seconda del campo elettrico tra i due elettrodi, permette di definire differenti stati logici della memoria. (literal)
- Anno di deposito
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni
- STMicroelectronics,
IMM-CNR Sezione di Catania (literal)
- Titolo
- Memory cell structure integrated on semiconductor (literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/brevetti.owl#trasferimentoBrevetto
- E' in corso lo sviluppo di prototipi industriali di dispositivi di memoria basati sull'idea oggetto del brevetto. L'operazione di trasferimento è condotta dal gruppo di ricerca IMM in stretta collaborazione con la R&D della STMicroelectronics di Catania. (literal)
- Abstract
- This invention relates to a memory cell which comprises a capacitor having a first electrode and a second electrode separated by a dielectric layer. Such dielectric layer comprises a layer of a semi-insulating material which is fully enveloped by an insulating material and in which an electric charge is permanently present or trapped therein. Such electric charge accumulated close to the first or to the second electrode, depending on the electric field between the electrodes, thereby defining different logic levels. (literal)
- Prodotto di
- Autore CNR
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