X-ray absorption spectroscopy study of Yb2O3 and Lu2O3 thin films deposited on Si(100) by atomic layer deposition (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• X-ray absorption spectroscopy study of Yb2O3 and Lu2O3 thin films deposited on Si(100) by atomic layer deposition (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2006-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Malvestuto, M; Scarel, G; Wiemer, C; Fanciulli, M; D'Acapito, F; Boscherini, F (2006)
  X-ray absorption spectroscopy study of Yb2O3 and Lu2O3 thin films deposited on Si(100) by atomic layer deposition
  
  (literal)

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• Malvestuto, M; Scarel, G; Wiemer, C; Fanciulli, M; D'Acapito, F; Boscherini, F (literal)

Pagina inizio

• 90 (literal)

Pagina fine

• 95 (literal)

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• 246 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• Univ Bologna, Dept Phys, I-40127 Bologna, Italy; Univ Bologna, INFM, I-40127 Bologna, Italy; INFM, Lab Nazl MDM, I-20041 Agrate Brianza, MI, Italy; European Synchrotron Radiat Facil, OGG, INFM, F-38043 Grenoble, France (literal)

Titolo

• X-ray absorption spectroscopy study of Yb2O3 and Lu2O3 thin films deposited on Si(100) by atomic layer deposition (literal)

Abstract

• Using X-ray absorption spectroscopy we have investigated the local structure of Yb2O3 and Lu2O3 thin films deposited on Si(100) by means of atomic layer deposition. These two oxides, as well as those of the other rare earth elements, are considered among the high dielectric constant materials candidates to substitute SiO2 in ultra-scaled CMOS devices. We find that the films maintain the overall bixbyite structure of the bulk oxides, but exhibit significant distortions of the local structure depending on thickness and thermal treatment. (c) 2006 Elsevier B.V. All rights reserved. (literal)

Prodotto di

• Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio (MD.P05.007.001) (Modulo)
• Sviluppo di strumentazione e di metodologie sperimentali avanzate per lo studio delle proprieta strutturali dei materiali con raggi X da sincrotrone (MD.P04.007.001) (Modulo)

Autore CNR

• FEDERICO BOSCHERINI (Persona)
• GIOVANNA SCAREL (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "X-ray absorption spectroscopy study of Yb2O3 and Lu2O3 thin films deposited on Si(100) by atomic layer deposition" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• GIOVANNA SCAREL (Unità di personale interno)
• FEDERICO BOSCHERINI (Persona)

Prodotto

• Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio (MD.P05.007.001) (Modulo)
• Sviluppo di strumentazione e di metodologie sperimentali avanzate per lo studio delle proprieta strutturali dei materiali con raggi X da sincrotrone (MD.P04.007.001) (Modulo)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "X-ray absorption spectroscopy study of Yb2O3 and Lu2O3 thin films deposited on Si(100) by atomic layer deposition" (Insieme di parole chiave)