Ohmic contacts to SiC (Contributo in volume (capitolo o saggio))

Type

• Contributo in volume (capitolo o saggio) (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Ohmic contacts to SiC (Contributo in volume (capitolo o saggio)) (literal)

Anno

• 2006-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• F. Roccaforte, F. La Via, V. Raineri (2006)
  Ohmic contacts to SiC
  World Scientific Publ. Co., Singapore (Singapore) in SiC Material and Devices, 2006
  (literal)

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• F. Roccaforte, F. La Via, V. Raineri (literal)

Pagina inizio

• 781 (literal)

Pagina fine

• 820 (literal)

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• ISBN: 978-981-256-835-9 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#citta

• New Jersey (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#titoloVolume

• SiC Material and Devices (literal)

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• Capitolo di libro con review su contatti ohmici su SiC (literal)

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• CNR-IMM (literal)

Titolo

• Ohmic contacts to SiC (literal)

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• SiC Materials and Devices (literal)

Abstract

• In this chapter, the most significant results obtained in the last decade in the field of ohmic contacts to SiC are reviewed. First, the basic concepts related to the physics of ohmic contacts and to the contact resistance measurement techniques are briefly reported. Then, some aspects concerning the formation of low resistance (10-5-10-6 OE©cm 2) ohmic contacts on n-type and for p-type SiC are discussed, focusing on Ni-based and Al/Ti-based contacts. Examples of innovative applications on practical devices are also reported, as the simultaneous formation of ohmic contacts on n- and p-type SiC for vertical power MOS devices, obtained adding Al to a standard Ni contact, and a single-metal technology for ohmic and rectifying contacts in MESFETs, using Ti or Ni without post-deposition annealing. ¬© World Scientific Publishing Company. (literal)

Editore

• World Scientific Publ. Co. (Editore)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS (MD.P05.009.001) (Modulo)
• Semiconduttori innovativi per elettronica di potenza ed Rf (MD.P05.003.001) (Modulo)

Autore CNR

• VITO RAINERI (Persona)
• FRANCESCO LA VIA (Unità di personale interno)
• FABRIZIO ROCCAFORTE (Persona)

Incoming links:

Autore CNR di

• FABRIZIO ROCCAFORTE (Persona)
• VITO RAINERI (Persona)
• FRANCESCO LA VIA (Unità di personale interno)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Semiconduttori innovativi per elettronica di potenza ed Rf (MD.P05.003.001) (Modulo)
• Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS (MD.P05.009.001) (Modulo)

Editore di

• World Scientific Publ. Co. (Editore)