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Quantitative strain mapping in nanoelectronic silicon devices by convergent beam electron diffraction (Contributo in volume (capitolo o saggio))
- Type
- Label
- Quantitative strain mapping in nanoelectronic silicon devices by convergent beam electron diffraction (Contributo in volume (capitolo o saggio)) (literal)
- Anno
- 2008-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
- Alternative label
Armigliato A., Balboni R., Frabboni S., Spessot A. (2008)
Quantitative strain mapping in nanoelectronic silicon devices by convergent beam electron diffraction
Research Signpost, Trivandrum (India) in Beam Injection Based Nanocharacterization of Advanced Materials, 2008
(literal)
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- Armigliato A., Balboni R., Frabboni S., Spessot A. (literal)
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- Volume pubblicato da Research Signpost, Kerala, India.
Il Capitolo in oggetto è il Chapter 8 (pages 197-219) (literal)
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- Beam Injection Based Nanocharacterization of Advanced Materials (literal)
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- Armigliato A. e Balboni R. CNR-IMM Sezione di Bologna
Frabboni S. Dip. Fisica Università di Modena e Reggio Emilia & INFM S3
Spessot A. Numonyx, Agrate (Milano) (ex STMicroelectronics) (literal)
- Titolo
- Quantitative strain mapping in nanoelectronic silicon devices by convergent beam electron diffraction (literal)
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- Beam injection based nanocharacterization of advanced materials (literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#isbn
- 978-81-308-0226-8 (literal)
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- Salviati G.; Sekiguchi T.; Heun S.; Gustafsson A. (literal)
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