Quantitative strain mapping in nanoelectronic silicon devices by convergent beam electron diffraction (Contributo in volume (capitolo o saggio))

Type
Label
  • Quantitative strain mapping in nanoelectronic silicon devices by convergent beam electron diffraction (Contributo in volume (capitolo o saggio)) (literal)
Anno
  • 2008-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Alternative label
  • Armigliato A., Balboni R., Frabboni S., Spessot A. (2008)
    Quantitative strain mapping in nanoelectronic silicon devices by convergent beam electron diffraction
    Research Signpost, Trivandrum (India) in Beam Injection Based Nanocharacterization of Advanced Materials, 2008
    (literal)
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  • Armigliato A., Balboni R., Frabboni S., Spessot A. (literal)
Pagina inizio
  • 197 (literal)
Pagina fine
  • 219 (literal)
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  • Volume pubblicato da Research Signpost, Kerala, India. Il Capitolo in oggetto è il Chapter 8 (pages 197-219) (literal)
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  • Beam Injection Based Nanocharacterization of Advanced Materials (literal)
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  • 23 (literal)
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  • Armigliato A. e Balboni R. CNR-IMM Sezione di Bologna Frabboni S. Dip. Fisica Università di Modena e Reggio Emilia & INFM S3 Spessot A. Numonyx, Agrate (Milano) (ex STMicroelectronics) (literal)
Titolo
  • Quantitative strain mapping in nanoelectronic silicon devices by convergent beam electron diffraction (literal)
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  • Beam injection based nanocharacterization of advanced materials (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#isbn
  • 978-81-308-0226-8 (literal)
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  • Salviati G.; Sekiguchi T.; Heun S.; Gustafsson A. (literal)
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