Computation of the Stark effect in P impurity states in silicon (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Computation of the Stark effect in P impurity states in silicon (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2006-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1103/PhysRevB.74.035202 (literal)

Alternative label

• Debernardi, A; Baldereschi, A; Fanciulli, M (2006)
  Computation of the Stark effect in P impurity states in silicon
  in Physical review. B, Condensed matter and materials physics (Online)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Debernardi, A; Baldereschi, A; Fanciulli, M (literal)

Pagina inizio

• 035202-1 (literal)

Pagina fine

• 035202-5 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 74 (literal)

Rivista

• Physical review. B, Condensed matter and materials physics (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 5 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 3 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• INFM, CNR, MDM Natl Lab, I-20041 Agrate Brianza, Italy; INFM, Democritos Natl Simulat Ctr, Trieste, Italy; Univ Trieste, Dipartimento Fis Teor, Trieste, Italy; Ecole Polytech Fed Lausanne, Inst Theoret Phys, CH-1015 Lausanne, Switzerland (literal)

Titolo

• Computation of the Stark effect in P impurity states in silicon (literal)

Abstract

• We compute within the effective-mass theory and without adjustable parameters the Stark effect for shallow P donors in Si with anisotropic band structure. Valley-orbit coupling is taken into account in a nonperturbative way and scattering effects of the impurity core are included to properly describe low-lying impurity states. The ground-state energy slightly decreases with increasing electric field up to a critical value E-cr similar to 25 keV/cm, at which the donor can be ionized by tunneling due to a field-induced mixing of the '1s-like' singlet ground state with a '2p(0)-like' excited state in zero field. The resulting ground-state wave function at high field extends significantly outside the potential barrier surrounding the impurity. Calculations of the hyperfine splitting and of the A-shell superhyperfine coupling constants as a function of the electric field complete the work. (literal)

Prodotto di

• Qubit a base di silicio o SiGe e studio di gas elettronici bidimensionali in dispositivi nanoelettronici (MD.P06.019.001) (Modulo)
• Teoria, simulazione e progetto assistito dal calcolatore di materiali nanostrutturati (MD.P06.025.001) (Modulo)

Autore CNR

• ALBERTO DEBERNARDI (Unità di personale interno)
• ALFONSO BALDERESCHI (Unità di personale esterno)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Computation of the Stark effect in P impurity states in silicon" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• ALBERTO DEBERNARDI (Unità di personale interno)
• ALFONSO BALDERESCHI (Unità di personale esterno)

Prodotto

• Qubit a base di silicio o SiGe e studio di gas elettronici bidimensionali in dispositivi nanoelettronici (MD.P06.019.001) (Modulo)
• Teoria, simulazione e progetto assistito dal calcolatore di materiali nanostrutturati (MD.P06.025.001) (Modulo)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Physical review. B, Condensed matter and materials physics (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Computation of the Stark effect in P impurity states in silicon" (Insieme di parole chiave)