Nondestructive diagnostics of high-kappa dielectrics for advanced electronic devices (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Nondestructive diagnostics of high-kappa dielectrics for advanced electronic devices (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2006-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Dallera, C; Fracassi, F; Braicovich, L; Scarel, G; Wiemer, C; Fanciulli, M; Pavia, G; Cowie, BCC (2006)
  Nondestructive diagnostics of high-kappa dielectrics for advanced electronic devices
  in Applied physics letters
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Dallera, C; Fracassi, F; Braicovich, L; Scarel, G; Wiemer, C; Fanciulli, M; Pavia, G; Cowie, BCC (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 89 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• Politecn Milan, Dipartimento Fis, CNR, INFM, I-20133 Milan, Italy; CNR, INFM, MDM Natl Lab, I-20041 Agrate Brianza, MI, Italy; STMicroelectronics, I-20041 Agrate Brianza, MI, Italy; European Synchrotron Radiat Facil, F-38043 Grenoble, France (literal)

Titolo

• Nondestructive diagnostics of high-kappa dielectrics for advanced electronic devices (literal)

Abstract

• The authors present novel results on the interface between silicon and the high-kappa oxides Al2O3 and HfO2 grown by atomic layer deposition. The determination of the thickness of the interfacial layer between oxide and Si(100) is crucial to the evaluation of the performances of devices based on high-kappa dielectrics. They find through hard x-ray photoemission spectroscopy (HaXPES) that no interfacial layer forms between Al2O3 and Si(100) whereas almost one monolayer forms between HfO2 and Si(100). HaXPES does not involve any destructive procedure nor any sample preparation. High-energy photoemission could therefore be widely employed for the characterization of real devices. (c) 2006 American Institute of Physics. (literal)

Prodotto di

• Fotonica ultrabreve dall'infrarosso al EUV: applicazioni a materiali e dispositivi per ICT, magnetismo, biomedicina e nanoscienze (MD.P03.008.001) (Modulo)
• Materia soffice: diffusione elastica ed anelastica di neutroni e raggi-x (MD.P02.016.001) (Modulo)
• Generazione di radiazione X ultrabeve (MD.P03.007.001) (Modulo)
• Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio (MD.P05.007.001) (Modulo)

Autore CNR

• GIOVANNA SCAREL (Unità di personale interno)
• CLAUDIA DALLERA (Persona)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Nondestructive diagnostics of high-kappa dielectrics for advanced electronic devices" (Insieme di parole chiave)

Incoming links:

Autore CNR di

• GIOVANNA SCAREL (Unità di personale interno)
• CLAUDIA DALLERA (Persona)

Prodotto

• Fotonica ultrabreve dall'infrarosso al EUV: applicazioni a materiali e dispositivi per ICT, magnetismo, biomedicina e nanoscienze (MD.P03.008.001) (Modulo)
• Generazione di radiazione X ultrabeve (MD.P03.007.001) (Modulo)
• Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio (MD.P05.007.001) (Modulo)
• Materia soffice: diffusione elastica ed anelastica di neutroni e raggi-x (MD.P02.016.001) (Modulo)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Applied physics letters (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Nondestructive diagnostics of high-kappa dielectrics for advanced electronic devices" (Insieme di parole chiave)