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Mn-doped GaN/AlN heterojunction for spintronic devices (Articolo in rivista)
- Type
- Label
- Mn-doped GaN/AlN heterojunction for spintronic devices (Articolo in rivista) (literal)
- Anno
- 2006-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi
- 10.1016/j.spmi.2006.06.008 (literal)
- Alternative label
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
- Pagina inizio
- Pagina fine
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- Rivista
- Note
- ISI Web of Science (WOS) (literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni
- CNR, INFM, MDM Natl Lab, I-20041 Agrate Brianza, Italy (literal)
- Titolo
- Mn-doped GaN/AlN heterojunction for spintronic devices (literal)
- Abstract
- We present first principles calculations of Mn-doped GaN/A1N(0001) heterostructures obtained within the framework of density functional theory by using plane wave pseudopotential techniques. We found that for diluted Mn concentration this system present an integer magnetization that is a fingerprint of half-metallic property; this suggests the possibility to use this junction as a spin injector. (c) 2006 Elsevier Ltd. All rights reserved. (literal)
- Prodotto di
- Autore CNR
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